bts 710 l1
参数 和 情况,
各自 的 这 四 途径
标识 值 单位
在 t
j
= 25 °c,
V
bb
= 12 v 除非 否则 指定
最小值 典型值 最大值
半导体 组 6
输入 和 状态 反馈
12
)
输入 阻抗
(看 电路 页 8)
T
j
=-40..+150°c:
R
I
2.5 3.5 6 k
Ω
输入 转变-在 门槛 电压
T
j
=-40..+150°c:
V
在(t+)
1.7 -- 3.5 V
输入 转变-止 门槛 电压
T
j
=-40..+150°c:
V
在(t-)
1.5 -- -- V
输入 门槛 hysteresis
∆
V
在(t)
-- 0.5 -- V
止 状态 输入 电流
V
在
= 0.4 v:
T
j
=-40..+150°c:
I
在(止)
1--50
µ
一个
在 状态 输入 电流
V
在
= 5 v:
T
j
=-40..+150°c:
I
在(在)
20 50 90
µ
一个
延迟时间 为 状态 和 打开 加载 之后 转变
止 (其它 频道 在 止 状态)
(看 定时 图解, 页 12
),
T
j
=-40..+150°c:
t
d(st ol4)
100 320 800
µ
s
延迟 时间 为 状态 和 打开 加载 之后 转变
止 (其它 频道 在 在 状态)
(看 定时 图解, 页 12
),
T
j
=-40..+150°c:
t
d(st ol5)
-- 5 20
µ
s
状态 invalid 之后 积极的 输入 斜度
(打开 加载)
T
j
=-40..+150°c:
t
d(st)
-- 200 600
µ
s
状态 输出 (打开 流)
齐纳 限制 电压
T
j
=-40...+150°c,
I
ST
= +1.6 毫安:
st 低 电压
T
j
=-40...+25°c,
I
ST
= +1.6 毫安:
T
j
= +150°c,
I
ST
= +1.6 毫安:
V
st(高)
V
st(低)
5.4
--
--
6.1
--
--
--
0.4
0.6
V
12)
如果 地面 电阻器 r
地
是 使用, 增加 这 电压 漏出 横过 这些 电阻器.