数据 薄板 bts660p
infineon 科技 ag页 92003-oct-01
在 电压 保护 的 逻辑 部分
+ v
bb
V
输出
在
bb
R
信号 地
逻辑
PROFET
V
z,是
R
是
在
R
是
V
z,在
R
V
V
z,vis
R
bb
=
120
Ω
典型值
.
,
V
z,在
=
V
z,是
=
74
V
典型值,
R
是
=
1
k
Ω
名义上的. 便条 那 当 在 电压 超过 79
V
典型值 一个 电压 在之上 5v 能 出现 在 是 和
地, 如果 r
V
, v
z,vis
是 不 使用.
反转 电池 保护
逻辑
是
在
是
R
V
R
输出
L
R
电源 地
信号 地
V
bb
-
电源
晶体管
在
R
bb
R
D
S
D
R
V
≥
1
k
Ω,
R
是
=
1
k
Ω
名义上的. 增加
R
在
为 反转
电池 保护 在 产品 和
V
bb
在之上
16V
18)
;
推荐 值:
1
R
在
+
1
R
是
+
1
R
V
=
0.1a
|
V
bb
| - 12v
如果 d
S
是 不 使用 (或者
1
R
在
=
0.1a
|
V
bb
| - 12v
如果 d
S
是 使用).
至 降低 电源 消耗 在 反转 电池
运作, 这 整体的 电流 在 这 在 和 是 管脚
应当 是 关于 120ma. 这 电流 能 是 提供
用 使用 一个 小 信号 二极管 d 在 并行的 至 这 输入
转变, 用 使用 一个 场效应晶体管 输入 转变 或者 用 恰当的
调整 这 电流 通过
R
是
和
R
V
.
V
bb
disconnect 和 energized inductive
加载
提供 一个 电流 path 和 加载 电流 能力 用
使用 一个 二极管, 一个 z-二极管, 或者 一个 varistor. (
V
ZL
<
70 v 或者
V
Zb
<
42 v 如果 r
在
=0). 为 高等级的 clamp 电压
电流 在 在 和 是 有 至 是 限制 至
250 毫安.
版本 一个:
PROFET
V
在
输出
是
bb
V
bb
V
ZL
版本 b:
PROFET
V
在
输出
是
bb
V
bb
V
Zb
便条 那 那里 是 非 反转 电池 保护 当
使用 一个 二极管 没有 额外的 z-二极管 v
ZL
, v
Zb
.
版本 c: sometimes 一个 需要 电压 clamp 是
给 用 非 inductive 负载 r
L
连接 至 这
一样 转变 和 排除 这 需要 的 夹紧
电路:
PROFET
V
在
输出
是
bb
V
bb
R
L