数据 薄板 bts650p
infineon 科技 ag 页 8 2003-oct-01
输入 电路 (静电释放 保护)
在
ZD
在
I
V
bb
R
bb
V
z,在
V
bIN
V
在
当 这 设备 是 切换 止 (i
在
=
0) 这 电压
在 在 和 地 reaches almost v
bb
. 使用 一个
机械的 转变, 一个 双极 或者 mos 晶体管 和
适合的 损坏 电压 作 驱动器.
V
z,在
=
66
V
(典型值).
短的 电路 发现
故障 情况:
V
在
> v
在(sc)
(6
v 典型值.) 和 t> t
d(sc)
(80 ...350 µs).
短的 电路
发现
逻辑
单位
+ v
bb
输出
V
在
电流 sense 状态 输出
是
是
R
是
I
ZD
是
V
bb
V
bb
R
z,是
V
V
z,是
=
66
V
(典型值.),
R
是
=
1
k
Ω
名义上的 (或者 1
k
Ω
/n, 如果 n
设备 是 连接 在 并行的).
I
S
=
I
L
/
k
ilis
能 是
驱动 仅有的 用 这 内部的 电路 作 长 作
V
输出
-
V
是
>
5 v. 如果 你 want measure 加载 电流 向上 至
I
l(m)
, r
是
应当 是 较少 比
V
bb
- 5 v
I
l(m)
/
K
ilis
.
便条: 为 大 值 的
R
是
这 电压
V
是
能 reach
almost v
bb
. 看 也 在 电压 保护.
如果 你 don't 使用 这 电流 sense 输出 在 your
应用, 你 能 leave 它 打开.
inductive 和 在 电压 输出 clamp
+ v
bb
输出
PROFET
V
Z1
V
在
D
S
是
V
输出
V
ZG
V
在
是 clamped 至 v
在(cl)
=
42
v 典型值 在 inductive 加载
转变-止 没有 d
S
, v
输出
是 clamped 至 v
输出(cl)
=
-19
v 典型值 通过 v
ZG
. 和 d
S
, v
输出
是 clamped 至 v
bb
-
V
在(cl)
通过 v
Z1
. 使用 d
S
给 faster deenergizing 的
这 inductive 加载, 但是 高等级的 顶峰 电源 消耗 在
这 profet. 在 情况 的 一个 floating 地面 和 一个
潜在的 高等级的 比 19v referring 至 这 输出 –
潜在的 这 设备 将 转变 在, 如果 二极管 ds 是 不
使用.
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