2004-三月-08
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pcn 2004-018-一个:
bts 5440g
smart 高-一侧 电源 转变
四 途径: 4 x 25m
Ω
IntelliSense
包装
产品 summary
运行 电压
V
bb(在)
4,5...28
( loaddump: 40 v )
V
起作用的 途径 一个 四 并行的
在-状态 阻抗
R
在
25 6.5 m
Ω
名义上的 加载 电流
I
l(nom)
6.2 13.9 一个
电流 限制 低
I
l(scr)
10 一个
高 40
p-dso-28-19
一般 描述
•
n 频道 vertical 电源 场效应晶体管 和 承担 打气, 地面 关联 cmos 兼容 输入 和
diagnostic 反馈, monolithically 整体的 在 smart sipmos
技术.
•
供应 embedded protective 功能.
•
extern 可调整的 电流 限制.
应用
•
所有 类型 的 resistive, inductive 和 电容的 负载
•
µc 兼容 高-一侧 电源 转变 和 diagnostic 反馈 为 12 v grounded 负载
•
预定的 至 这 可调整的 电流 限制 最好的 合适的 为 负载 和 高 inrush 电流, 所以 作 lamps
•
替代 electromechanical 接转, fuses 和 分离的 电路
基本 功能
•
非常 低 备用物品 电流
•
cmos 兼容 输入
•
改进 电磁的 兼容性 (emc)
•
稳固的 behaviour 在 低 电池 电压
块 图解
Vbb
逻辑
频道 3
频道 4
地
加载 1
加载 2
逻辑
频道 1
频道 2
加载 4
加载 3
IN1
IS1
IS2
IN2
cla 1/2
IN3
IS3
IS4
IN4
cla 3/4
保护 功能
•
反转 电池 保护 和 外部 电阻
•
短的 电路 保护
•
超载 保护
•
电流 限制
•
热的 关闭
•
超（电）压 保护 和 外部 电阻
•
丧失 的 地 和 丧失 的
V
bb
保护
•
静电的 释放 保护 (静电释放)
Dia
g
nostic 功能: intellisense
•
均衡的 加载 电流 sense ( 和 定义 故障 信号 在 热的 关闭 和 超载 )
•
额外的 打开 加载 发现 在 止 - 状态
•
suppressed 热的 toggling 的 故障 信号
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