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TEMPFET
®
bts 120
1 04.97
3
2
1
特性
●
n 频道
●
增强 模式
●
温度 传感器 和 thyristor 典型的
●
这 流 管脚 是 用电气 shortet 至 这 tab
管脚 1 2 3
GDS
类型
V
DS
I
D
R
ds(在)
包装 订货 代号
bts 120 100 v 19 一个 0.1
Ω
至-220ab c67078-a5009-a2
最大 比率
参数 标识 值 单位
流-源 电压
V
DS
100 V
流-门 电压,
R
GS
= 20 k
Ω
V
DGR
100
门-源 电压
V
GS
±
20
持续的 流 电流,
T
C
= 25
°
C
I
D
19 一个
iso 流 电流
T
C
= 85
°
c,
V
GS
= 10 v,
V
DS
= 0.5 v
I
d-iso
3.5
搏动 流 电流,
T
C
= 25
°
C
I
D puls
76
短的 电路 电流,
T
j
= – 55 ... + 150
°
C
I
SC
55
短的 电路 消耗,
T
j
= – 55 ... + 150
°
C
P
SCmax
800 W
电源 消耗
P
tot
75
运行 和 存储 温度 范围
T
j
,
T
stg
– 55 ... + 150
°
C
din 湿度 类别, din 40 040 – E –
iec climatic 类别, din iec 68-1 – 55/150/56
热的 阻抗
碎片-情况
碎片-包围的
R
th jc
R
th ja
≤
1.67
≤
75
k/w

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TEMPFET ® bts 120 1 04.97 3 2 1 特性 ● n 频道 ● 增强模式 ● 温度传感器和 thyristor 典型的 ● 这流管脚是用电气 shortet 至这 tab 管脚 1 2 3 GDS 类型 V DS I D R ds(在) 包装订货代号 bts 120 100 v 19 一个 0.1 Ω 至-220ab c67078-a5009-a2 最大比率参数标识值单位流-源电压 V DS 100 V 流-门电压, R GS = 20 k Ω V DGR 100 门-源电压 V GS ± 20 持续的流电流, T C = 25 ° C I D 19 一个 iso 流电流 T C = 85 ° c, V GS = 10 v, V DS = 0.5 v I d-iso 3.5 搏动流电流, T C = 25 ° C I D puls 76 短的电路电流, T j = – 55 ... + 150 ° C I SC 55 短的电路消耗, T j = – 55 ... + 150 ° C P SCmax 800 W 电源消耗 P tot 75 运行和存储温度范围 T j , T stg – 55 ... + 150 ° C din 湿度类别, din 40 040 – E – iec climatic 类别, din iec 68-1 – 55/150/56 热的阻抗碎片-情况碎片-包围的 R th jc R th ja ≤ 1.67 ≤ 75 k/w

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