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资料编号:183607
资料名称:
BTS240A
文件大小: 327.84K
说明
:
介绍
:
TEMPFET (N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TEMPFET
®
bts 240 一个
2
19.02.04
电的 特性
在
T
j
= 25
°
c, 除非 否则 指定.
参数
标识
值
单位
最小值
典型值
最大值
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0
, i
D
= 0.25 毫安
V
(br)dss
50
––
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
DS
, i
D
= 1 毫安
V
gs(th)
2.5
3.0
3.5
零 门 电压 流 电流
V
GS
= 0 v,
V
DS
= 50 v
T
j
= 25
°
C
T
j
= 125
°
C
I
DSS
–
–
0.1
10
1.0
100
µ
一个
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0
T
j
= 25
°
C
T
j
= 150
°
C
I
GSS
–
–
10
2.0
100
4.0
nA
µ
一个
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
= 10 v
, i
D
=47 一个
R
ds(在)
–
0.012
0.018
Ω
动态 特性
向前 跨导
V
DS
≥
2
×
I
D
×
R
ds(在)最大值
,
I
D
= 47 一个
g
fs
20.0
43.0
–
S
输入 电容
V
GS
= 0
, v
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iss
–
2.9
4.3
nF
输出 电容
V
GS
= 0
, v
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
–
1.4
2.1
反转 转移 电容
V
GS
= 0
, v
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
–
0.5
0.8
转变-在 时间
t
在
, (
t
在
=
t
d(在)
+
t
r
)
V
CC
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 3 一个,
R
GS
= 50
Ω
t
d(在)
–
50
75
ns
t
r
–
150
230
转变-止 时间
t
止
, (
t
止
=
t
d(止)
+
t
f
)
V
CC
= 30 v,
V
GS
= 10 v,
I
D
= 3 一个,
R
GS
= 50
Ω
t
d(止)
–
350
560
t
f
–
250
330
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