bts 640 s2
半导体 组 页 9 2003-oct-01
超（电）压 保护 的 逻辑 部分
+ v
bb
是
ST
R
地
地
R
信号 地
逻辑
V
Z2
在
R
I
V
Z1
ST
是
R
+ 5v
V
R
V
Z1
= 6.1 v 典型值.,
V
Z2
= 47 v 典型值.,
R
I
= 4 k
Ω
典型值
,
R
地
= 150
Ω,
R
ST
= 15 k
Ω
,
R
是
= 1 k
Ω
,
R
V
= 15 k
Ω
,
反转 电池 保护
地
逻辑
是
ST
R
在
ST
是
R
+ 5v
V
R
输出
L
R
电源 地
地
R
信号 地
电源
Inverse
I
R
V
bb
-
二极管
Z1
V
这 加载
R
L
是 inverse 在, 温度 保护 是
不 起作用的
R
地
= 150
Ω,
R
I
= 4 k
Ω
典型值
,
R
ST
≥
500
Ω
,
R
是
≥
200
Ω
,
R
V
≥
500
Ω
,
打开-加载 发现
止-状态 diagnostic 情况:
V
输出
> 3 v 典型值.; 在 低
逻辑
ST
输出
V
输出
信号 地
R
EXT
R
O
止
V
bb
地 disconnect
PROFET
V
ST
是
输出
地
bb
V
bb
I
bb
6
2
4
3
5
在
输出
1
7
V
在
V
ST
V
是
V
地
任何 kind 的 加载. 在 情况 的 输入=高 是
V
输出
≈
V
在
-
V
在(t+)
.
预定的 至 v
地
>0, 非 v
ST
= 低 信号 有.
地 disconnect 和 地 拉 向上
PROFET
V
ST
是
输出
地
bb
V
bb
6
2
4
3
5
在
输出
1
7
V
在
V
ST
V
是
V
地
任何 kind 的 加载. 如果 v
地
>
V
在
-
V
在(t+)
设备 stays 止
预定的 至 v
地
>0, 非 v
ST
= 低 信号 有.
V
bb
disconnect 和 energized inductive
加载
PROFET
V
ST
是
输出
地
bb
V
bb
6
2
4
3
5
在
输出
1
7
高
正常的 加载 电流 能 是 处理 用 这 profet
它自己.
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