bts 707
半导体 组 8
地 disconnect
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
V
在
V
ST
V
地
任何 kind 的 加载. 在 情况 的 在
=
高 是
V
输出
≈
V
在
-
V
在(t+)
.
预定的 至 v
地
>
0, 非 v
ST
= 低 信号 有.
地 disconnect 和 地 拉 向上
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
V
地
V
在
V
ST
任何 kind 的 加载. 如果 v
地
>
V
在
-
V
在(t+)
设备 stays 止
预定的 至 v
地
>
0, 非 v
ST
= 低 信号 有.
V
bb
disconnect 和 energized inductive
加载
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
V
bb
高
为 一个 inductive 加载 电流 向上 至 这 限制 定义 用 e
作
(最大值. 比率 ) 各自 转变 是 保护 相反 丧失 的 v
bb
.
考虑 在 your pcb 布局 那 在 这 情况 的 vbb dis-
连接 和 energized inductive 加载 这 全部的 加载
电流 flows 通过 这 地 连接.
inductive 加载 转变-止 活力
消耗
PROFET
V
在
ST
输出
地
bb
=
E
E
E
E
作
bb
L
R
E
加载
R
L
L
{
L
Z
活力 贮存 在 加载 电感:
E
L
=
1
/
2
·
L
·
I
2
L
当 demagnetizing 加载 电感, 这 活力
dissipated 在 profet 是
E
作
= e
bb
+ e
L
- e
R
=
∫
V
在(cl)
·
i
L
(t) dt,
和 一个 近似的 解决方案 为 r
L
>
0
Ω
:
E
作
=
I
L
·
L
2
·
R
L
(
V
bb
+
|V
输出(cl)
|)
ln
(1+
I
L
·
R
L
|V
输出(cl)
|
)
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