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资料编号:183640
 
资料名称:MX29LV160BTTC-90
 
文件大小: 762.21K
   
说明
 
介绍:
16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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p/n:pm1041 rev. 1.2, jul. 01, 2004
mx29lv160bt/bb
16m-位 [2mx8/1mx16] cmos 单独的 电压
3v 仅有的 flash 记忆
擦掉 运作 completion.
准备好/busy 管脚 (ry/用)
- 提供 一个 硬件 方法 的 detecting 程序 或者
擦掉 运作 completion.
sector 保护
- 硬件 方法 至 使不能运转 任何 结合体 的
sectors 从 程序 或者 擦掉 行动
- temporary sector unprotect 准许 代号 改变 在
cfi (一般 flash 接口) 一致的
- flash 设备 参数 贮存 在 这 设备 和
提供 这 host 系统 至 进入
100,000 最小 擦掉/程序 循环
获得-向上 保护 至 100ma 从 -1v 至 vcc+1v
激励 sector architecture
- t = 顶 激励 sector
- b = bottom 激励 sector
低 vcc 写 inhibit 是 equal 至 或者 较少 比 1.4v
包装 类型:
- 44-管脚 sop
- 48-管脚 tsop
- 48-球 csp
兼容性 和 电子元件工业联合会 标准
- 引脚 和 软件 兼容 和 单独的-电源
供应 flash
10 年 数据 保持
特性
扩展 单独的 - 供应 电压 范围 2.7v 至 3.6v
2,097,152 x 8/1,048,576 x 16 switchable
单独的 电源 供应 运作
- 3.0v 仅有的 运作 为 读, 擦掉 和 程序
运作
全部地 兼容 和 mx29lv160a 设备
快 进入 时间: 70/90ns
低 电源 消耗量
- 30ma 最大 起作用的 电流
- 0.2ua 典型 备用物品 电流
command 寄存器 architecture
- 字节/文字 程序编制 (9us/11us 典型)
- sector 擦掉 (sector 结构 16k-bytex1,
8k-bytex2, 32k-bytex1, 和 64k-字节 x31)
自动 擦掉 (碎片 &放大; sector) 和 自动 程序
- automatically 擦掉 任何 结合体 的 sectors 和
擦掉 suspend 能力.
- automatically 程序 和 核实 数据 在 指定
地址
擦掉 suspend/擦掉 重新开始
- suspends sector 擦掉 运作 至 读 数据 从,
或者 程序 数据 至, 任何 sector 那 是 不 正在 erased,
然后 重新开始 这 擦掉.
状态 reply
- 数据 polling &放大; toggle 位 为 发现 的 程序 和
一般 描述
这 mx29lv160bt/bb 是 一个 16-mega 位 flash 记忆
有组织的 作 2m 字节 的 8 位 或者 1m words 的 16 位.
mxic's flash memories 提供 这 大多数 费用-有效的
和 可依靠的 读/写 非-易变的 随机的 进入
记忆. 这 mx29lv160bt/bb 是 packaged 在 44-管脚
sop, 48-管脚 tsop 和 48-球 csp. 它 是 设计 至 是
reprogrammed 和 erased 在 系统 或者 在 标准
非易失存储器 programmers.
这 标准 mx29lv160bt/bb 提供 进入 时间 作
快 作 70ns, 准许 运作 的 高-速 micropro-
cessors 没有 wait states. 至 eliminate 总线 conten-
tion, 这 mx29lv160bt/bb 有 独立的 碎片 使能
(ce) 和 输出 使能 (oe) 控制.
mxic's flash memories augment 非易失存储器 符合实际
和 在-电路 电的 erasure 和 程序编制. 这
mx29lv160bt/bb 使用 一个 command 寄存器 至 man-
age 这个 符合实际. 这 command 寄存器 准许 为
100% ttl 水平的 控制 输入 和 fixed 电源 供应
水平 在 擦掉 和 程序编制, 当 维持
最大 非易失存储器 兼容性.
mxic flash 技术 reliably stores 记忆 内容
甚至 之后 100,000 擦掉 和 程序 循环. 这 mxic
cell 是 设计 至 优化 这 擦掉 和 程序编制
mechanisms. 在 增加, 这 结合体 的 先进的
tunnel oxide 处理 和 低 内部的 electric 地方
为 擦掉 和 程序 行动 生产 可依靠的 cy-
cling. 这 mx29lv160bt/bb 使用 一个 2.7v~3.6v vcc
供应 至 执行 这 高 可靠性 擦掉 和 自动
程序/擦掉 algorithms.
这 最高的 程度 的 获得-向上 保护 是 达到
和 mxic's 专卖的 非-epi 处理. 获得-向上 pro-
tection 是 proved 为 压力 向上 至 100 milliamps 在
地址 和 数据 管脚 从 -1v 至 vcc + 1v.
R
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