飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU2520DX
图.1. 切换 时间 波形 (16 khz).
图.2. 切换 时间 定义.
图.3. 切换 时间 测试 电路
.
图.4. 典型 直流 电流 增益. h
FE
= f (i
C
)
参数 v
CE
图.5. 典型 根基-发射级 饱和 电压.
V
是
sat = f (i
C
); 参数 i
C
/i
B
图.6. 典型 集电级-发射级 饱和 电压.
V
CE
sat = f (i
C
); 参数 i
C
/i
B
IC
IB
VCE
ICsat
IBend
64us
26us20us
t
t
t
晶体管
二极管
0.1 10
ic / 一个
hFE
100
10
1
1001
tj = 25 c
tj = 125 c
5 v
1 v
ICsat
90 %
10 %
tf
ts
IBend
IC
IB
t
t
- ibm
0.1 1 10
ic / 一个
vbesat / v
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
tj = 25 c
tj = 125 c
ic/ib=
3
4
5
+ 150 v 名义上的
调整 为 icsat
Lc
Cfb
d.u.t.
LB
IBend
-vbb
Rbe
0.1 10
ic / 一个
vcesat / v
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1001
tj = 25 c
tj = 125 c
ic/ib =
4
5
3
九月 1997 3 rev 2.300
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