飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 BU4530AL
图.9. 典型 集电级-发射级 饱和 电压.
V
CE
sat = f (i
C
); 参数 i
C
/i
B
图.10. 典型 集电级 存储 和 下降 时间.
I
C
=9 一个; t
j
= 85˚c; f = 32khz
图.11. normalised 电源 消耗.
pd% = 100
⋅
P
D
/p
d 25˚c
图.12. 瞬时 热的 阻抗.
图.13. i
Csat
在 正常的 运动 vs. 频率 的
运作 为 最佳的 效能
0.1 1 10 100
0.01
0.1
1
10
ic / ib = 5
- - -tj = 85 c
tj = 25 c
vcesat / v
ic / 一个
1e-07 1e-05 1e-03 1e-01 1E+01
0.001
0.01
0.1
1
10
0.2
0.1
0.05
0.02
0.5
bu4530alzth / (k/w)
t / s
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
2
4
6
8
10
ts/tf / 美国
ib / 一个
0 20406080100
0
2
4
6
8
10
ic(sat) (一个)
频率 (khz)
0 20 40 60 80 100 120 140
ths / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
和 散热器 复合
april 1999 4 rev 1.100
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