©2000 仙童 半导体 国际的
bu407/407h
rev. 一个, 二月 2000
典型 特性
图示 1. 静态的 典型的 图示 2. 直流 电流 增益
图示 3. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 4. 集电级 输出 电容
图示 5. safe 运行 范围 图示 6. 电源 减额
012345678910
0
1
2
3
4
5
I
B
= 180ma
I
B
= 140ma
I
B
= 60ma
I
B
= 120ma
I
B
= 40ma
I
B
= 80ma
I
B
= 160ma
I
B
= 20ma
I
B
= 100ma
I
B
= 200ma
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
1 10 100 1000 10000
1
10
100
1000
V
CE
= 5v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[ma], 集电级 电流
1 10 100 1000 10000
10
100
1000
10000
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
I
C
= 10 i
B
V
CE
(sat)[v], v
是
(sat)[v]saturation 电压
I
C
[ma], 集电级 电流
110100
1
10
100
1000
f = 1mhz
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
1 10 100
0.1
1
10
V
CE
最大值
s/b 限制
10ms
I
C
最大值 (持续的)
I
C
最大值 (搏动)
消耗 限制
100ms
1ms
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压
0 25 50 75 100 125 150 175 200
0
10
20
30
40
50
60
70
80
P
D
[w], 电源 dissipatioan
T
C
[
o
c], 情况 温度
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