1997 8月 13 3
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 bu505f; bu505df
分开 特性
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
标识 参数 典型值 最大值 单位
V
isolM
分开 电压 从 所有 terminals 至 外部 散热器 (顶峰 值)
−
1500 V
C
isol
分开 电容 从 集电级 至 外部 散热器 12
−
pF
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CESM
集电级-发射级 顶峰 电压 V
是
=0
−
1500 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
700 V
I
Csat
集电级 饱和 电流
−
2A
I
C
集电级 电流 (直流) 看 Figs 4 和 5
−
2.5 一个
I
CM
集电级 电流 (顶峰 值) 看 Figs 4 和 5
−
4A
I
B
根基 电流 (直流)
−
2A
I
BM
根基 电流 (顶峰 值)
−
4A
P
tot
总的 电源 消耗 T
h
≤
25
°
c; 看 图.2
−
20 W
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
图.2 电源 减额 曲线.
handbook, halfpage
050
T
h
(
o
c)
100 150
120
0
40
80
MGK674
P
tot 最大值
(%)
图.3 直流 电流 增益; 典型 值.
T
j
=25
°
c.
(1) V
CE
=5v.
(2) V
CE
=1v.
handbook, halfpage
10
−
2
10
−
1
1
10
2
10
1
h
FE
I
C
(一个)
10
MGB875
(1)
(2)
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