飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk127-50dl
逻辑 水平的 topfet
输出 特性
限制 是 为 -40˚c
≤
T
mb
≤
150˚c; typicals 是 为 t
mb
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止-状态
V
是
= 0 v
V
(cl)dss
流-源 夹紧 电压 I
D
= 10 毫安 50 - - V
I
D
= 200 毫安; t
p
≤
300
µ
s;
δ
≤
0.01 50 60 70 V
I
DSS
流 源 泄漏 电流 V
DS
= 40 v - - 100
µ
一个
T
mb
= 25 ˚c - 0.1 10
µ
一个
在-状态
V
是
≥
4 v; t
p
≤
300
µ
s;
δ
≤
0.01
R
ds(在)
流-源 阻抗 I
D
= 100 毫安 - - 380 m
Ω
T
mb
= 25 ˚c - 150 200 m
Ω
输入 特性
这 供应 为 这 逻辑 和 超载 保护 是 带去 从 这 输入.
限制 是 为 -40˚c
≤
T
mb
≤
150˚c; typicals 是 为 t
mb
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
是(至)
输入 门槛 电压 V
DS
= 5 v; i
D
= 1 毫安 0.6 - 2.4 V
T
mb
= 25˚c 1.1 1.6 2.1 V
I
是
输入 供应 电流 正常的 运作; V
是
= 5 v 100 220 400
µ
一个
V
是
= 4 v 80 195 330
µ
一个
I
ISL
输入 供应 电流 保护 latched; V
是
= 5 v 200 400 650
µ
一个
V
是
= 3 v 130 250 430
µ
一个
V
ISR
保护 重置 电压
1
重置 时间 t
r
≥
100
µ
s 1.5 2 2.5 V
t
lr
获得 重置 时间 V
IS1
= 5 v, v
IS2
< 1 v 10 40 100
µ
s
V
(cl)是
输入 夹紧 电压 I
I
= 1.5 毫安 5.5 - 8.5 V
R
IG
输入 序列 阻抗
2
T
mb
= 25˚c - 33 - k
Ω
至 门 的 电源 场效应晶体管
1
这 输入 电压 在下 这个 这 超载 保护 电路 将 是 重置.
2
不 直接地 measureable 从 设备 terminals.
october 1999 3 rev 1.000
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