首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:185016
 
资料名称:BUL49A
 
文件大小: 16.36K
   
说明
 
介绍:
ADVANCED DISTRIBUTED BASE DESIGN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED NPN SILICON POWER TRANSISTOR
 
 


: 点此下载
  浏览型号BUL49A的Datasheet PDF文件第1页
1

2
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BUL49A
prelim. 4/99
semelab plc.
电话 +44(0)1455) 556565. 传真 +44(0)1455) 552612.
e-邮递:sales@semelab.co.uk
网站:http://www.semelab.co.uk
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
ceo(sus)
V
(br)cbo
V
(br)ebo
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE*
V
ce(sat)*
V
是(sat)*
f
t
C
ob
集电级 – 发射级 sustaining 电压
集电级 – 根基 损坏 电压
发射级 – 根基 损坏 电压
集电级 – 根基 cut–off 电流
集电级 – 发射级 cut–off 电流
发射级 cut–off 电流
直流 电流 增益
集电级 – 发射级 饱和 电压
根基 – 发射级 饱和 电压
转变 频率
输出 电容
300
600
10
10
100
100
10
100
30 55
20 28
15 20
0.07 0.2
0.4 0.7
1.2 1.5
1.1 1.3
1.4 2
20
260
V
m
一个
m
一个
m
一个
V
V
MHz
pF
I
C
= 10ma
I
C
= 1ma
I
E
= 1ma
V
CB
= 600v
T
C
= 125°c
I
B
= 0 V
CE
= 300v
V
EB
= 5v
I
C
= 0 T
C
= 125°c
I
C
= 2a V
CE
= 4v
I
C
= 10a V
CE
= 4v
I
C
= 15a V
CE
= 4v
T
C
= 125°c
I
C
= 2a I
B
= 0.2a
I
C
= 10a I
B
= 1a
I
C
= 15a I
B
= 1.5a
I
C
= 10a I
B
= 1a
I
C
= 15a I
B
= 1.5a
I
C
= 100 V
CE
= 4v f =
10MHz
V
CB
= 20v f = 10mhz
电的 特性
(t
情况
= 25°c 除非 否则 陈述)
* 脉冲波 测试 t
p
= 300
m
s ,
d
< 2%
电的 特性
动态 特性
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com