热的 数据
R
thj-情况
R
t hj- 一个mb
热的 阻抗 Junction-情况 最大值
热的 阻抗 Junction-ambient 最大值
1.56
62.5
o
c/w
o
c/w
电的 特性
(t
情况
=25
o
C 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CES
Collector 截-的f
电流 (v
是
=0)
V
CE
=800V
V
CE
=800V T
j
=125
o
C
100
500
µ
一个
µ
一个
I
CEO
Collector 截-的f
电流 (i
B
=0)
V
CE
= 450 V 250
µ
一个
V
ceo(sus )
∗
Collector-emitter
Sustaining 电压
(i
B
=0)
I
C
= 100 m一个 L = 25 mH 450 V
V
EBO
发射级-根基 电压
(i
C
=0)
I
E
=10mA 9 V
V
ce(sat)
∗
Collector-emitter
饱和 电压
I
C
=1A I
B
=0.2a
I
C
=2A I
B
=0.4a
I
C
=3A I
B
=0.75a
0.5
0.7
1.1
V
V
V
V
是(s在)
∗
根基-emitter
饱和 电压
I
C
=1A I
B
=0.2a
I
C
=2A I
B
=0.4a
1.1
1.2
V
V
h
FE
∗
直流 Current Ga在 I
C
=10毫安 V
CE
=5V
I
C
=0.5a V
CE
=5V
I
C
=2A V
CE
=5V
Group 一个
Group B
10
13
22
60
23
32
t
s
t
f
RESISTIVE LOAD
存储 时间
下降 时间
I
C
=2.5a V
CC
=150V
I
B1
=-i
B2
=0.5a t
p
=30
µ
s
1.0 2.2
0.8
µ
s
µ
s
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
存储 时间
下降 时间
I
C
=2A I
B1
=0.4a
V
是(的f)
=-5v R
BB
=0
Ω
V
CL
= 250 V L = 200
µ
H
1
55
1.8
100
µ
s
ns
t
s
t
f
INDUCTIVE LOAD
存储 时间
下降 时间
I
C
=2A I
B1
=0.4a
V
是(的f)
=-5v R
BB
=0
Ω
V
CL
= 250 V L = 200
µ
H
T
j
=125
o
C
1.3
100
µ
s
ns
V
f
二极管 Forward Voltage I
C
=2A 1.5 V
∗
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环 1.5 %.
这 产品 是 前-选择 在 直流 电流 增益 (组 一个 和 组 b). 意法半导体 reserves 这 正确的 至 ship 也 groups
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BUL38D
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