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半导体 组
7 二月-07-1997
bup 314s
初步的 数据
典型值 capacitances
C
=
f
(
V
CE
)
参数:
V
GE
= 0 v, f = 1 mhz
0 5 10 15 20 25 30 V 40
V
CE
1
10
2
10
3
10
4
10
pF
C
Ciss
Coss
Crss
反转 片面的 safe 运行 范围
I
Cpuls
=
f
(v
CE
) ,
T
j
= 150°c
参数:
V
GE
= 15 v
0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600
V
CE
0.0
0.5
1.0
1.5
2.5
I
Cpuls
/
I
C
短的 电路 safe 运行 范围
I
Csc
=
f
(
V
CE
) ,
T
j
= 150°c
参数:
V
GE
= ± 15 v,
t
sc
≤
10 µs, l < 25 nh
0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600
V
CE
0
2
4
6
10
I
Csc
/
I
c(90°c)

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半导体组 7 二月-07-1997 bup 314s 初步的数据典型值 capacitances C = f ( V CE ) 参数: V GE = 0 v, f = 1 mhz 0 5 10 15 20 25 30 V 40 V CE 1 10 2 10 3 10 4 10 pF C Ciss Coss Crss 反转片面的 safe 运行范围 I Cpuls = f (v CE ) , T j = 150°c 参数: V GE = 15 v 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 V CE 0.0 0.5 1.0 1.5 2.5 I Cpuls / I C 短的电路 safe 运行范围 I Csc = f ( V CE ) , T j = 150°c 参数: V GE = ± 15 v, t sc ≤ 10 µs, l < 25 nh 0 200 400 600 800 1000 1200 V 1600 V CE 0 2 4 6 10 I Csc / I c(90°c)

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