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资料编号:185303
 
资料名称:BUV26
 
文件大小: 62.22K
   
说明
 
介绍:
MEDIUM POWER NPN SILICON TRANSISTOR
 
 


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热的 数据
R
thj-情况
热的 阻抗 接合面-情况 最大值 1.76
o
c/w
电的 特性
(t
情况
= 25
o
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CER
集电级 截-止
电流 (r
= 5
0Ω
)
V
CE
= 180v
T
c
= 125
o
C
3mA
I
CEX
集电级 截-止
电流
V
CE
= 180v
V
= -1.5v t
c
= 125
o
C1mA
I
EBO
发射级 截-止
电流 (i
C
= 0)
V
EB
= 5 v 1 毫安
V
ceo(sus)
集电级-发射级
sustaining 电压
I
C
= 0.2 一个
l = 25mh
90 V
V
EBO
发射级-根基
电压 (i
C
= 0)
I
E
= 50ma 7 30 V
V
ce(sat)
集电级-发射级
饱和 电压
I
C
= 6a i
B
= 0.6a
I
C
= 12a i
B
= 1.2a
0.6
1.5
V
V
V
是(sat)
根基-发射级
饱和 电压
I
C
=12a i
B
= 1.2a 2 V
t
t
s
t
f
resistive 加载
转变-在 时间
存储 时间
下降 时间
V
CC
= 50v i
C
=12A
V
= - 6v i
B1
= 1.2a
R
BB
= 2.5
0.4
0.45
0.12
0.6
1
0.25
ms
µ
s
µ
s
t
s
t
f
t
s
t
f
inductive 加载
存储 时间
下降 时间
存储 时间
下降 时间
V
CC
= 50v i
C
= 12a
V
= - 5v i
B1
= 1.2a
L
B
= - 0.5
µ
H
V
CC
= 50v i
C
= 12 一个
V
= - 5v i
B1
= 1.2a
L
B
= - 0.5
µ
h t
j
= 125
o
C
0.5
0.04
2
0.15
µ
s
µ
s
µ
s
µ
s
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责循环 = 1.5 %
BUV26
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