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资料编号:185335
 
资料名称:BUV21
 
文件大小: 139.76K
   
说明
 
介绍:
SITCHMODE Series NPN Silicon Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
BUV21
3
motorola 双极 电源 晶体管 设备 数据
I
C
, 集电级 电流 (一个)
图示 2. 起作用的 区域 safe 运行 范围
40
1
V
CE
, collector–emitter 电压 (v)
10 200
10
1
0.1
100
那里是 二 限制 在 这电源 处理 能力 的 一个
晶体管:平均 接合面 温度 和 第二 破裂-
向下.safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
– v
CE
限制 的
晶体管 那 必须 是 observed 为 可依靠的 运作
i.e.,这 晶体管 必须 不-
tion 比 这 曲线 表明.
数据 的 图示 2 是 为基础 在T
C
= 25
_
c, t
j(pk)
能变的depending 在 power level. second breakdown
限制 做 不 减额 这 一样 作 热的 限制.
高 情况 温度, 热的限制 将 减少
这 电源 那 能 是 处理 至 值 较少 比 这 limita-
tions imposed 用 第二 损坏.
图示 3. “on” 电压
图示 4. 直流 电流 增益
50
100
I
C
, 集电级 电流 (一个)
1 10
40
0
30
20
10
V
CE
= 5 v
图示 5. resistive 切换 效能
3.0
0 5 10 15 25
V
CE
= 100 v
I
C
/i
B1
= 8
I
B1
= i
B2
t, 时间 ( s)
µ
2.0
1.0
t
S
0.4
0.3
0.2
20
t
t
F
2.0
I
C
, 集电级 电流 (一个)
1 10
1.6
I
C
/i
B
= 8
0.8
1.2
0.4
图示 6. 切换 时间 测试 电路
v, 电压 (v)
I
C
, 集电级 电流 (一个)
V
V
CE
V
CC
I
B2
I
B1
R
B
R
C
R
C
– r
B
: 非 inductive 抵制
V
CC
= 100 v
R
C
= 4
R
B
= 2.2
10,000
µ
F
0
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