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1997 8月 13 6
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 buw13f; buw13af
图.4  向前 偏差 soar.
T
mb
=25
°
c.
I - 区域 的 容许的 直流 运作.
II - 容许的 extension 为 repetitive 脉冲波 运作.
(1) P
tot 最大值
和 p
tot 顶峰 最大值
线条.
(2) 第二 损坏 限制 (独立 的 温度).
handbook, 全部 pagewidth
MGB929
1
10
110
2
10
3
10
4
I
V
CE
(v)
10
10
−
1
10
2
10
−
2
10
−
4
10
−
3
I
C
(一个)
I
c 最大值
t
p
=
20
µ
s
1 ms
2 ms
5 ms
10 ms
20 ms
直流
I
cm 最大值
δ
= 0.01
BUW13F
BUW13AF
50
µ
s
100
µ
s
200
µ
s
500
µ
s
II

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1997 8月 13 6 飞利浦半导体产品规格硅 diffused 电源晶体管 buw13f; buw13af 图.4 向前偏差 soar. T mb =25 ° c. I - 区域的容许的直流运作. II - 容许的 extension 为 repetitive 脉冲波运作. (1) P tot 最大值和 p tot 顶峰最大值线条. (2) 第二损坏限制 (独立的温度). handbook, 全部 pagewidth MGB929 1 10 110 2 10 3 10 4 I V CE (v) 10 10 − 1 10 2 10 − 2 10 − 4 10 − 3 I C (一个) I c 最大值 t p = 20 µ s 1 ms 2 ms 5 ms 10 ms 20 ms 直流 I cm 最大值 δ = 0.01 BUW13F BUW13AF 50 µ s 100 µ s 200 µ s 500 µ s II

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