1997 8月 14 5
飞利浦 半导体 产品 规格
硅 diffused 电源 晶体管 bux84f; bux85f
图.4 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个 函数 的 根基 电流; 典型 值.
handbook, 全部 pagewidth
0.3
I
B
(一个)
4
(1)
3
0
0
V
CEsat
(v)
0.05 0.25
MGB908
2
1
0.20.1
0.15
(2) (3) (4)
(1) I
C
= 0.3 一个. (2) I
C
= 0.5 一个. (3) I
C
= 0.7 一个. (4) I
C
=1a. T
j
=25
°
c; 固体的 线条: 典型 值; dotted 线条: 最大 values.
图.5 根基-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 发射级 电流; 典型 值.
T
j
=25
°
c.
(1) I
C
=1a.
(2) I
C
= 0.5 一个.
(3) I
C
= 0.3 一个.
handbook, halfpage
0 300
1.0
0.5
MGB904
0.75
100 200
V
BEsat
(v)
I
B
(毫安)
(2)
(3)
(1)
图.6 直流 电流 增益; 典型 值.
handbook, halfpage
10
−
2
10
−
1
1
10
2
10
1
h
FE
I
C
(一个)
10
MGB879
典型值
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