BUZ100SL-4_集成电路资料查询网

半导体 组
8 01/oct/1997
初步的 数据
buz 100sl-4
avalanche 活力
E
作
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
I
D
= 7.4 一个,
V
DD
= 25 v
R
GS
= 25
Ω
,
L
= 13.8 mh
20 40 60 80 100 120 140 °C 180
T
j
0
40
80
120
160
200
240
280
320
mJ
400
E
作
典型值 门 承担
V
GS
=
ƒ
(
Q
门
)
参数:
I
d puls
= 7 一个
0 20 40 60 80 100 nC 130
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
ds 最大值
V
0,8
ds 最大值
V
0,2
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
ƒ
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100 °C 180
T
j
49
51
53
55
57
59
61
V
65
V
(br)dss

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半导体组 8 01/oct/1997 初步的数据 buz 100sl-4 avalanche 活力 E 作 = ƒ ( T j ) 参数: I D = 7.4 一个, V DD = 25 v R GS = 25 Ω , L = 13.8 mh 20 40 60 80 100 120 140 °C 180 T j 0 40 80 120 160 200 240 280 320 mJ 400 E 作典型值门承担 V GS = ƒ ( Q 门 ) 参数: I d puls = 7 一个 0 20 40 60 80 100 nC 130 Q 门 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS ds 最大值 V 0,8 ds 最大值 V 0,2 流-源损坏电压 V (br)dss = ƒ ( T j ) -60 -20 20 60 100 °C 180 T j 49 51 53 55 57 59 61 V 65 V (br)dss

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