半导体 组
6 30/jan/1998
buz 102 sl
SPP47N05L
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
=25 °c
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V 5.0
V
DS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
一个
110
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 2.5
b
b 3.0
c
c 3.5
d
d 4.0
e
e 4.5
f
f 5.0
g
g 5.5
h
h 6.0
i
i 6.5
j
j 7.0
k
k 8.0
l
P
tot
=120W
l 10.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
T
j
= 25 °c
0 10 20 30 40 50 60 70 80 一个 100
I
D
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
Ω
0.09
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
2.5
V
GS
[v] =
一个
一个
3.0
b
b
3.5
c
c
4.0
d
d
4.5
e
e
5.0
f
f
5.5
g
g
6.0
h
h
6.5
i
i
7.0
j
j
8.0
k
k
10.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
V
GS
0
10
20
30
40
50
60
70
80
一个
100
I
D
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