关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:185585
资料名称:
BUZ110SL
文件大小: 121.06K
说明
:
介绍
:
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level Avalanche-rated dv/dt rated)
: 点此下载
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
半导体 组
8
28/jan/1998
buz 110 sl
SPP80N05L
avalanche 活力
E
作
=
f
(
T
j
)
参数:
I
D
=80 一个,
V
DD
=25 v
R
GS
=3.8
Ω
, l = 144 µh
20
40
60
80
100
120
140
°C
180
T
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
mJ
500
E
作
典型值 门 承担
V
GS
=
ƒ
(
Q
门
)
参数:
I
d puls
=
80 一个
0
20
40
60
80
100
120
nC
160
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
ds 最大值
V
0,8
ds 最大值
V
0,2
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
ƒ
(
T
j
)
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
49
51
53
55
57
59
61
V
65
V
(br)dss
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com