半导体 组
8 07/96
buz 338
avalanche 活力
E
作
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
I
D
= 13.5 一个,
V
DD
= 50 v
R
GS
= 25
Ω
,
L
= 9.18 mh
20 40 60 80 100 120 °C 160
T
j
0
100
200
300
400
500
600
700
800
mJ
1000
E
作
典型值 门 承担
V
GS
=
ƒ
(
Q
门
)
参数:
I
d puls
= 20 一个
0 20 40 60 80 100 120 140 160 nC 190
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
GS
ds 最大值
V
0,8
ds 最大值
V
0,2
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
ƒ
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100 °C 160
T
j
450
460
470
480
490
500
510
520
530
540
550
560
570
580
V
600
V
(br)dss