半导体 组
6 07/96
buz 11 s2
不 为 新 设计
典型值 输出 特性
I
D
=
ƒ(
V
DS
)
参数:
t
p
= 80 µs
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 V 5.0
V
DS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
一个
70
I
D
V
GS
[V]
一个
一个 4.0
b
b 4.5
c
c 5.0
d
d 5.5
e
e 6.0
f
f 6.5
g
g 7.0
h
h 7.5
i
i 8.0
j
j 9.0
k
k 10.0
l
P
tot
=75W
l 20.0
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
V
GS
0 10 20 30 40 一个 60
I
D
0.00
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
0.07
0.08
0.09
0.10
0.11
Ω
0.13
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
4.0
V
GS
[v] =
一个
一个
4.5
b
b
5.0
c
c
5.5
d
d
6.0
e
e
6.5
f
f
7.0
g
g
7.5
h
h
8.0
i
i
9.0
j
j
10.0
k
k
20.0
典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
)
参数:
t
p
= 80 µs
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
0 1 2 3 4 5 6 7 8 V 10
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
一个
65
I
D
典型值 向前 跨导
g
fs
=
f
(
I
D
)
参数:
t
p
= 80 µs,
V
DS
≥
2 x
I
D
x r
ds(在)最大值
0 10 20 30 40 一个 60
I
D
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
S
26
g
fs
: 点此下载
