半导体 组
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buz 103al
典型值 流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ(
I
D
)
参数:
V
GS
0 10 20 30 40 50 60 一个 75
I
D
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
Ω
0.16
R
ds (在)
V
GS
[v] =
一个
2.0
V
GS
[v] =
一个
2.5
V
GS
[v] =
一个
一个
3.0
b
b
3.5
c
c
4.0
d
d
4.5
e
e
5.0
f
f
5.5
g
g
6.0
h
h
7.0
i
i
8.0
j
j
10.0
门 门槛 电压
V
gs (th)
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1 毫安
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
V
4.6
V
gs(th)
-60 -20 20 60 100 °C 180
T
j
2%
典型值
98%
典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
= 0v,
f
= 1mhz
0 5 10 15 20 25 30 V 40
V
DS
2
10
3
10
4
10
pF
C
C
iss
C
oss
C
rss
向前 特性 的 反转 二极管
I
F
=
ƒ
(
V
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 80 µs
0
10
1
10
2
10
3
10
一个
I
F
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
V
SD
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 175 °c 典型值
T
j
= 175 °c (98%)
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