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半导体组 8 07/96 buz 76 avalanche 活力 E 作 = ƒ ( T j ) 参数: I D =3一个, V DD =50V R GS =25 Ω , L =35mH 20 40 60 80 100 120 °C 160 T j 0 20 40 60 80 100 120 140 160 mJ 190 E 作典型值门承担 V GS = ƒ ( Q 门 ) 参数: I d puls =6 一个 0 4 8 12 16 20 24 nC 30 Q 门 0 2 4 6 8 10 12 V 16 V GS ds 最大值 V 0,8 ds 最大值 V 0,2 流-源损坏电压 V (br)dss = ƒ ( T j ) -60 -20 20 60 100 °C 160 T j 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450 460 V 480 V (br)dss

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