BUZ73_集成电路资料查询网

5 07/96
半导体 组
buz 73
流 电流
I
D
=
ƒ
(
T
C
)
参数:
V
GS
≥
10 v
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
一个
7.5
I
D
电源 消耗
P
tot
=
ƒ
(
T
C
)
0 20 40 60 80 100 120 °C 160
T
C
0
5
10
15
20
25
30
35
W
45
P
tot
safe 运行 范围
I
D
=
ƒ
(
V
DS
)
参数:
D
= 0.01
, t
C
= 25°c
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
I
D
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
R
ds(在)
=
V
DS
/
I
D
直流
10 ms
1 ms
100 µs
t
p
= 22.0µs
瞬时 热的 阻抗
Z
th jc
=
ƒ
(
t
p
)
参数:
d = t
p
/
T
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
k/w
Z
thJC
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
s
t
p
单独的 脉冲波
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
d = 0.50

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5 07/96 半导体组 buz 73 流电流 I D = ƒ ( T C ) 参数: V GS ≥ 10 v 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T C 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 一个 7.5 I D 电源消耗 P tot = ƒ ( T C ) 0 20 40 60 80 100 120 °C 160 T C 0 5 10 15 20 25 30 35 W 45 P tot safe 运行范围 I D = ƒ ( V DS ) 参数: D = 0.01 , t C = 25°c -1 10 0 10 1 10 2 10 一个 I D 10 0 10 1 10 2 V V DS R ds(在) = V DS / I D 直流 10 ms 1 ms 100 µs t p = 22.0µs 瞬时热的阻抗 Z th jc = ƒ ( t p ) 参数: d = t p / T -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 k/w Z thJC 10 -7 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 s t p 单独的脉冲波 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 d = 0.50

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