buz 20
数据 薄板 7 05.99
门 门槛 电压
V
gs (th)
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1 毫安
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
3.6
4.0
V
4.6
V
gs(th)
-60 -20 20 60 100 ˚C 160
T
j
2%
典型值
98%
流-源 在-阻抗
R
ds (在)
=
ƒ
(
T
j
)
参数:
I
D
= 8.5 一个,
V
GS
= 10 v
-60 -20 20 60 100 ˚C 160
T
j
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
Ω
0.65
R
ds (在)
典型值
98%
典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
= 0v,
f
= 1mhz
0 5 10 15 20 25 30 V 40
V
DS
-2
10
-1
10
0
10
1
10
nF
C
C
rss
C
oss
C
iss
向前 特性 的 反转 二极管
I
F
=
ƒ
(
V
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 80 µs
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
I
F
0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 V 3.0
V
SD
T
j
= 25 ˚c典型值
T
j
= 25 ˚c(98%)
T
j
= 150 ˚c典型值
T
j
= 150 ˚c(98%)
: 点此下载
