2 megabit
(256k x 8)
单独的 2.7-volt
电池-电压
cmos flash
记忆
特性
•
单独的 供应 电压, 范围 2.7v 至 3.6v
•
单独的 供应 为 读 和 写
•
软件 保护 程序编制
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快 读 进入 时间 - 250 ns
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低 电源 消耗
15 毫安 起作用的 电流
20
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
sector 程序 运作
单独的 循环 reprogram (擦掉 和 程序)
1024 sectors (256 字节/sector)
内部的 地址 和 数据 latches 为 256-字节
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二 8 kb 激励 blocks 和 lockout
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快 sector 程序 循环 时间 - 20 ms 最大值
•
内部的 程序 控制 和 计时器
•
数据 polling 为 终止 的 程序 发现
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典型 忍耐力 > 10,000 循环
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cmos 和 ttl 兼容 输入 和 输出
•
商业的 和 工业的 温度 范围
描述
这 at29bv020 是 一个 2.7-volt-仅有的 在-系统 flash 可编程序的 和 可擦掉的 读
仅有的 记忆 (perom). 它的 2 megabits 的 记忆 是 有组织的 作 262,144 words 用
8 位. 制造的 和 atmel’s 先进的 nonvolatile cmos 可擦可编程只读存储器 技术,
这 设备 提供 进入 时间 向上 至 250 ns, 和 一个 低 54 mw 电源 消耗.
当 这 设备 是 deselected, 这 cmos 备用物品 电流 是 较少 比 20
µ
一个. 这
设备 忍耐力 是 此类 那 任何 sector 能 典型地 是 写 至 在 excess 的
10,000 时间. 这 程序编制 algorithm 是 兼容 和 其它 设备 在 atmel’s
低 电压 flash 家族 的 产品.
(持续)
AT29BV020
tsop 顶 视图
类型 1
管脚 配置
管脚 名字 函数
a0 - a17 地址
CE 碎片 使能
OE 输出 使能
我们 写 使能
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
NC 非 连接
plcc 顶 视图
0402B
AT29BV020
4-13