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AT28BV256
0273h–peepr–10/04
规格. 这 数据 在 这 3-字节 command sequence 是 不 写 至 这 设备; 这
地址 在 这 command sequence 能 是 使用 just 像 任何 其它 location 在 这 设备.
任何 attempt 至 写 至 这 设备 没有 这 3-字节 sequence 将 开始 这 内部的 写 tim-
ers. 非 数据 将 是 写 至 这 设备; 不管怎样, 为 这 持续时间 的 t
WC
, 读 行动 将
effectively 是 polling 行动.
设备 identification:
一个 extra 64 字节 的 可擦可编程只读存储器 记忆 是 有 至 这 用户
为 设备 identification. 用 raising a9 至 12v
±
0.5v 和 使用 地址 locations 7fc0h 至
7fffh 这 额外的 字节 将 是 写 至 或者读 从 在 这 一样 manner 作 这 regular
记忆 排列.
注释: 1. x 能 是 v
IL
或者 v
IH
.
2. 谈及 至 交流 程序编制 波形.
3. V
H
= 12.0v ± 0.5v.
直流 和 交流 运行 范围
at28bv256-20 at28bv256-25
运行 温度 (情况)
com. 0°c - 70°c 0°c - 70°c
ind. -40°c - 85°c -40°c - 85°c
V
CC
电源 供应 2.7v - 3.6v 2.7v - 3.6v
运行 模式
模式 CE OE 我们 i/o
读 V
IL
V
IL
V
IH
D
输出
写
(2)
V
IL
V
IH
V
IL
D
在
备用物品/写 inhibit V
IH
X
(1)
xhigh z
写 inhibit X X V
IH
写 inhibit X V
IL
X
输出 使不能运转 X V
IH
xhigh z
碎片 擦掉 V
IL
V
H
(3)
V
IL
高 z
直流 特性
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 加载 电流 V
在
= 0v 至 v
CC
+ 1v 10 µA
I
LO
输出 泄漏 电流 V
i/o
= 0v 至 v
CC
10 µA
I
SB
V
CC
备用物品 电流 cmos CE= v
CC
- 0.3v 至 v
CC
+ 1v
com. 20 µA
ind. 50 µA
I
CC
V
CC
起作用的 电流 f = 5 mhz; i
输出
= 0 毫安 15 毫安
V
IL
输入 低 电压 0.6 V
V
IH
输入 高 电压 2.0 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 1.6 毫安 0.3 V
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= -100 µa 2.0 V