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资料编号:186144
 
资料名称:MMBV2105LT1
 
文件大小: 70.36K
   
说明
 
介绍:
Silicon Tuning Diodes
 
 


: 点此下载
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 无线电 公司, 有限公司.
MMBV2101~MMBV2109
–2/3
MV2101~MV2115
最小值 Nom M一个x 典型值 最小值 典型值 最大值
mmbv2101lt1/mv2101 6.1 6.8 7.5 450 2.5 2.7 3.2
MMBV2103LT1 9.0 10 11 400 2.5 2.9 3.2
MV2104 10.8 12 13.2 400 2.5 2.9 3.2
mmbv2105lt1/mv2105 13.5 15 16.5 400 2.5 2.9 3.2
MMBV2107LT1 19.8 22 24.2 350 2.5 2.9 3.2
mmbv2108lt1/mv2108 24.3 27 29.7 300 2.5 3.0 3.2
mmbv2109lt1/mv2109 29.7 33 36.3 200 2.5 3.0 3.2
MV2111 42.3 47 51.7 150 2.5 3.0 3.2
MV2115 90 100 110 100 2.6 3.0 3.3
mmbv2101lt1, mmbv2103lt1, mmbv2105lt1, mmbv2107lt1 thru mmbv2109lt1,
是 也 有 在 大(量).
使用 这 设备 标题 和 漏出 这 “t1” 后缀 当 订货 任何 的 这些 设备 在 大(量).
mmbv2101lt1 mmbv2103lt1 mmbv2105lt1
mmbv2107lt1 mmbv2108lt1 mmbv2109lt1
MV2101 MV2104 MV2105 MV2108 MV2109
MV2111 MV2115
C
T
, 二极管 电容
V
R
= 4.0 vdc, f = 1.0 mhz
pF
T
R
, tuning 比率
C
2
/c
30
f = 1.0 mhz
q, 图示 的 merit
V
R
= 4.0 vdc,
f = 50 mhz
参数 测试 方法
1. c
T
, 二极管 电容
(c
T
= c
C
+ c
J
). c
T
是 量过的 在 1.0 mhz 使用 一个
ca-pacitance 桥 (boonton electronics 模型
75a 或者 相等的).
2. t
R
, tuning 比率
T
R
是 这 比率 的 c
T
量过的 在 2.0 vdc 分隔 用
C
T
量过的 在 30 vdc.
3. q, 图示 的 merit
q 是 计算 用 带去 这 g 和 c readings 的 一个
ad-mittance 桥 在 这 指定 频率 和
substitut-ing 在 这 下列的 equations:
q =
2
π
fC
G
(booton electronics 模型 33as8 或者 相等的).使用
含铅的 长度
~
1/16”.
4.t c
C
,二极管 电容 温度
系数
TC
C
是 有保证的 用 comparing c
T
在 v
R
=4.0vdc,f=1.0mhz,
T
一个
= – 65
°C
和 c
T
在 v
R
=4.0vdc,f=1.0mhz,t
一个
= +85
°C
在 这
下列的 等式,这个 定义 tc
C
:
C
T
(+85
°C
)– c
T
(–65
°C
)10
6
TC
C
=
85+65
.
C
T
(25
°C
)
精度 限制 用 度量 的 c
T
to±0.1pf.
设备
~
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