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资料编号:186538
 
资料名称:BC847BWT1
 
文件大小: 185.37K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(NPN Silicon)
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
k4–3/4
bc846awt1, bwt1 bc847awt1, bwt1, cwt1 bc848awt1, bwt1, cwt1
bc847/bc848
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 5. capacitances
I
C
, 集电级 电流 (madc)
图示 6. current–gain – 带宽 产品
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 7. 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 8. “on” 电压
I
B
, 根基 电流 (毫安)
图示 9. 集电级 饱和 区域
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 10. base–emitter 温度 系数
T
一个
= 25°c
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
@ v
CE
= 5.0 v
V
CE
= 10v
T
一个
= 25°c
T
一个
= 25°c
V
CE
= 5v
T
一个
= 25°c
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
CE
, collector– 发射级 电压 (伏特)
θθ
θθ
θ
VB
, 温度 系数 (mv/°c)
h
FE
, 直流 电流 增益 (normalized)
v, 电压 (伏特)
f
T
, current– 增益 – 带宽
产品 (mhz)
v, 电压 (伏特)
I
C
=
10 毫安
100mA
20mA
200mA
T
一个
= 25°c
θ
VB
为 v
–55°c 至 125°c
C
ob
C
ib
–1.0
–1.4
–1.8
–2.2
–2.6
–3.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
400
300
200
100
80
60
40
30
20
10.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
2.0
1.0
0.5
0.2
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.4 0.6 0.81.0 2.0 4.0 6.0 8.010 20 40
0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.010 20 30 50
0.1 0.2 1.0 10 100 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20
50mA
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