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资料编号:186544
 
资料名称:BC857BWT1
 
文件大小: 217.99K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(PNP Silicon)
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
k5–2/5
电的 特性
(t
一个
= 25°c 除非 否则 指出) (持续)
典型的 标识 最小值 典型值 最大值 单位
在 特性
直流 电流 增益
bc856a, bc857a, bc858a
h
FE
—90——
(i
C
= –10
µ
一个, v
CE
= –5.0 v) bc856b, bc857b, bc858b
150
bc858c,
270
(i
C
= –2.0 毫安, v
CE
= –5.0 v) bc856a, bc857a, bc858a
125 180 250
bc856b, bc857b, bc858b
220 290 475
BC858C
420 520 800
collector–emitter 饱和 电压 (i
C
= –10 毫安, i
B
= – 0.5 毫安)
V
ce(sat)
– 0.3
V
collector–emitter 饱和 电压(i
C
= –100 毫安, i
B
= – 5.0 毫安) – 0.65
base–emitter 饱和 电压 (i
C
= –10 毫安, i
B
= –0.5 毫安)
V
是(sat)
– 0.7
V
base–emitter 饱和 电压(i
C
= –100 毫安, i
B
= –5.0 毫安) – 0.9
base–emitter 电压 (i
C
= –2.0 毫安, v
CE
= –5.0 v)
V
是(在)
– 0.6 – 0.75
V
base–emitter 电压(i
C
= –10 毫安, v
CE
= –5.0 v) – 0.82
small–signal 特性
current–gain — 带宽 产品
f
T
100 MHz
(i
C
= – 10 毫安, v
CE
= – 5.0 vdc, f = 100 mhz)
输出 电容 (v
CB
= – 10 v, f = 1.0 mhz) C
ob
4.5 pF
噪音 图示
NF –– –– 10 dB
(i
C
= – 0.2 毫安,v
CE
= – 5.0 v
直流
, r
S
= 2.0 k
, f =1.0 khz, bw= 200 hz)
bc856awt1, bwt1 bc857awt1, bwt1 bc858awt1, bwt1, cwt1
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