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资料编号:186546
 
资料名称:BC858BWT1
 
文件大小: 178.5K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Transistors(PNP Silicon)
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
k5–3/5
bc856awt1, bwt1 bc857awt1, bwt1, bc858awt1, bwt1, cwt1
bc857/bc858
I
C
, 集电级 电流 (madc)
图示 1. normalized 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (madc)
图示 2. “saturation” 和 “on” 电压
–0.2 –0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20 –50 –100 –200
V
CE
= –10 v
T
一个
= 25°c
2.0
1.5
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
–0.1 –0.2 –0.5 –1.0 –2.0 –5.0 –10 –20 –50 –100
T
一个
= 25°c
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
=10
V
是(在)
@ v
CE
= –10 v
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
T
一个
= 25°c
v, 电压 (伏特)
–1.0
–0.9
–0.8
–0.7
–0.6
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
0
θθ
θθ
θ
VB
, 温度 系数 (mv/ °c)
1.0
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
I
B
, 根基 电流 (毫安)
图示 3. 集电级 饱和 区域
V
CE
, collector– 发射级 电压 (v)
I
C
= –200 毫安
–55°c 至 +125°c
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 4. base–emitter 温度 系数
–0.2 –1.0 –10 –100–0.02 –0.1 –1.0 –10 –20
–2.0
–1.6
–1.2
–0.8
–0.4
0
I
C
=
–10 毫安
I
C
= –100 毫安
I
C
= –
20 毫安
I
C
= –50 毫安
h
FE
, normalized 直流 电流 增益
V
R
, 反转 电压 (伏特)
图示 5. capacitances
I
C
, 集电级 电流 (madc)
图示 6. current–gain – 带宽 产品
T
一个
=25°C
V
CE
= –10v
T
一个
= 25°c
f
T
, current– 增益 – 带宽
产品 (mhz)
c, 电容(pf)
C
ob
C
ib
400
300
200
150
100
80
60
40
30
20
10.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
–0.4 –0.6 –1.0 –2.0 –4.0 –6.0 –10 –20 –30 –40 –0.5 –1.0 –2.0 –3.0 –5.0 –10 –20 –30 –50
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