1996 Sep 18 3
飞利浦 半导体 产品 规格
过激 快 低-丧失
控制 avalanche rectifiers
byd73 序列
电的 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 specified.
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流 T
tp
=55
°
c; 看 Figs 6 和 7
BYD73A 至 D
−
14 一个
BYD73E 至 G
−
15 一个
I
FRM
repetitive 顶峰 向前 电流 T
amb
=60
°
c; 看 Figs 8 和 9
BYD73A 至 D
−
8.5 一个
BYD73E 至 G
−
9.5 一个
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 电流 t = 10 ms half sine 波;
T
j
=T
j 最大值
较早的 至 surge;
V
R
=V
RRMmax
−
25 一个
E
RSM
非-repetitive 顶峰 反转
avalanche 活力
L = 120 mh; t
j
=T
j 最大值
较早的 至
surge; inductive 加载 切换 止
−
10 mJ
T
stg
存储 温度
−
65 +175
°
C
T
j
接合面 温度
−
65 +175
°
C
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
F
向前 电压 I
F
= 1 一个; t
j
=T
j 最大值
;
看 Figs 12 和 13
BYD73A 至 D
−−
0.75 V
BYD73E 至 G
−−
0.83 V
V
F
向前 电压 I
F
=1a;
看 Figs 12 和 13
BYD73A 至 D
−−
0.98 V
BYD73E 至 G
−−
1.05 V
V
(br)r
反转 avalanche 损坏
电压
I
R
= 0.1 毫安
BYD73A 55
−−
V
BYD73B 110
−−
V
BYD73C 165
−−
V
BYD73D 220
−−
V
BYD73E 275
−−
V
BYD73F 330
−−
V
BYD73G 440
−−
V
I
R
反转 电流 V
R
=V
RRMmax
;
看 图.14
−−
1
µ
一个
V
R
=V
RRMmax
;
T
j
= 165
°
c; 看 图.14
−−
100
µ
一个
t
rr
反转 恢复 时间 当 切换 从
I
F
= 0.5 一个 至 i
R
=1a;
量过的 在 i
R
= 0.25 一个;
看 图.18
BYD73A 至 D
−−
25 ns
BYD73E 至 G
−−
50 ns
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
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