BYT261PIV-1000_集成电路资料查询网

0 100 200 300 400 500
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
tfr(
µ
s)
如果=如果(av)
90% 信心
Tj=100
°
C
dif/dt(一个/
µ
s)
图. 11:
向前 恢复 时间 相比 dI
F
/dt (每
二极管 为 isotop).
0 25 50 75 100 125 150
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
tj(
°
c)
qrr;irm[tj] / qrr;irm[tj=100
°
C]
IRM
Qrr
图. 12:
动态 参数 相比 接合面
温度.
0 100 200 300 400 500
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
vfp(v)
如果=如果(av)
90% 信心
Tj=100
°
C
dif/dt(一个/
µ
s)
图. 10:
瞬时 顶峰 向前 电压 相比
dI
F
/dt (每 二极管 为 isotop).
10 20 50 100 200 500
0
10
20
30
40
50
60
70
80
irm(一个)
如果=如果(av)
90% 信心
Tj=100
°
C
dif/dt(一个/
µ
s)
图. 9:
恢复 电流 相比 dI
F
/dt (每 二极管
为 isotop).
10 20 50 100 200 500
0
2
4
6
8
10
dif/dt(一个/
µ
s)
qrr(
µ
c)
如果=如果(av)
90% 信心
Tj=100
°
C
图. 8:
恢复 charges 相比 dI
F
/dt (每 二极管
为 isotop).
byt60p-1000 / byt261piv-1000
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0 100 200 300 400 500 0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 tfr( µ s) 如果=如果(av) 90% 信心 Tj=100 ° C dif/dt(一个/ µ s) 图. 11: 向前恢复时间相比 dI F /dt (每二极管为 isotop). 0 25 50 75 100 125 150 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 tj( ° c) qrr;irm[tj] / qrr;irm[tj=100 ° C] IRM Qrr 图. 12: 动态参数相比接合面温度. 0 100 200 300 400 500 0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 vfp(v) 如果=如果(av) 90% 信心 Tj=100 ° C dif/dt(一个/ µ s) 图. 10: 瞬时顶峰向前电压相比 dI F /dt (每二极管为 isotop). 10 20 50 100 200 500 0 10 20 30 40 50 60 70 80 irm(一个) 如果=如果(av) 90% 信心 Tj=100 ° C dif/dt(一个/ µ s) 图. 9: 恢复电流相比 dI F /dt (每二极管为 isotop). 10 20 50 100 200 500 0 2 4 6 8 10 dif/dt(一个/ µ s) qrr( µ c) 如果=如果(av) 90% 信心 Tj=100 ° C 图. 8: 恢复 charges 相比 dI F /dt (每二极管为 isotop). byt60p-1000 / byt261piv-1000 5/7

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