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资料编号:188719
 
资料名称:BYV32E-150
 
文件大小: 52.95K
   
说明
 
介绍:
Rectifier diodes ultrafast, rugged
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
整流器 二极管 byv32e, byv32eb 序列
ultrafast, 坚毅的
图.7. 最大 t
rr
在 t
j
= 25 ˚c; 每 二极管
图.8. 最大 i
rrm
在 t
j
= 25 ˚c; 每 二极管
图.9. 典型 和 最大 向前 典型的
每 二极管; i
F
= f(v
F
); 参数 t
j
图.10. 最大 q
s
在 t
j
= 25 ˚c; 每 二极管
图.11. 瞬时 热的 阻抗; 每 二极管;
Z
th j-mb
= f(t
p
).
1
10
trr / ns
1 10 100
1000
100
dif/dt (一个/美国)
IF=1A
IF=10A
10
1.0
1.0 10 100
-dif/dt (一个/美国)
qs / nc
IF=10A
5A
2A
1A
100
10
1
0.1
0.01
irrm / 一个
1
10 100
-dif/dt (一个/美国)
IF=1A
IF=10A
1us 10us 100us 1ms 10ms 100ms 1s 10s
0.001
0.01
0.1
1
10
BYV32E
脉冲波 宽度, tp (s)
瞬时 热的 阻抗, zth j-mb (k/w)
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
0 1
30
20
10
0
0.5 1.5
vf / v
如果 / 一个
典型值
最大值
tj=150 c
tj=25 c
july 1998 4 rev 1.200
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