首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:188723
 
资料名称:BYV32EB-200
 
文件大小: 52.95K
   
说明
 
介绍:
Rectifier diodes ultrafast, rugged
 
 


: 点此下载
  浏览型号BYV32EB-200的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号BYV32EB-200的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号BYV32EB-200的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号BYV32EB-200的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号BYV32EB-200的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号BYV32EB-200的Datasheet PDF文件第7页
7
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
飞利浦 半导体 产品 规格
整流器 二极管 byv32e, byv32eb 序列
ultrafast, 坚毅的
静电释放 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
C
静电的 释放 人 身体 模型; - 8 kV
电容 电压 c = 250 pf; r = 1.5 k
热的 抵制
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 接合面 每 二极管 - - 2.4 k/w
至 挂载 根基 两个都 二极管 - - 1.6 k/w
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 sot78 包装, 在 自由 空气 - 60 - k/w
至 包围的 sot404 和 sot428 包装, pcb - 50 - k/w
挂载, 最小 footprint, fr4 板
电的 特性
特性 是 每 二极管 在 t
j
= 25 ˚c 除非 否则 陈述
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
F
向前 电压 I
F
= 8 一个; t
j
= 150˚c - 0.72 0.85 V
I
F
= 20 一个 - 1.00 1.15 V
I
R
反转 电流 V
R
= v
RWM
; t
j
= 100 ˚c - 0.2 0.6 毫安
V
R
= v
RWM
-630
µ
一个
Q
s
反转 恢复 承担 I
F
= 2 一个; v
R
30 v; -di
F
/dt = 20 一个/
µ
s - 8 12.5 nC
t
rr1
反转 恢复 时间 I
F
= 1 一个; v
R
30 v; - 20 25 ns
-di
F
/dt = 100 一个/
µ
s
t
rr2
反转 恢复 时间 I
F
= 0.5 一个 至 i
R
= 1 一个; i
rec
= 0.25 一个 - 10 20 ns
V
fr
向前 恢复 电压 I
F
= 1 一个; di
F
/dt = 10 一个/
µ
s-1-v
july 1998 2 rev 1.200
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com