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资料编号:189007
 
资料名称:BYW29FP-200
 
文件大小: 135.49K
   
说明
 
介绍:
HIGH EFFICIENCY FAST RECOVERY DIODES
 
 


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byw29/f/fp/g-200
4/7
0
10
20
30
40
50
60
1.e-03 1.e-02 1.e-01 1.e+00
t(s)
Tc=25°C
Tc=75°C
Tc=100°C
im(一个)
I
M
t
δ
=0.5
图.5-2 :
repetitive surge 顶峰 向前 cur-
rent 相比 超载 持续时间 (至-220fpac,
isowatt220ac).
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0 25 50 75 100 125 150
tamb(°c)
rth(j-一个)=rth(j-c)
rth(j-一个)=15°c:w
至-220ac/d²pak
至-220fpac
ISOWATT220AC
如果(av)(一个)
图.6 :
平均 电流 相比 包围的 tempera-
ture. (
δ
= 0.5)
10
100
1000
10 100 1000
dif/dt(一个/µs)
IF=8A
VR=100V
Tj=100°C
qrr(nc)
图.8 :
反转 恢复 charges 相比 dI
F
/dt
(90%confidence).
10
100
1 10 100 1000
vr(v)
F=1MHz
Vosc=30mV
Tj=25°C
c(pf)
图.7 :
接合面 电容 相比 反转 volt-
age 应用 (典型 值).
1
10
100
10 100 1000
dif/dt(一个/µs)
IF=8A
VR=100V
Tj=100°C
irm(一个)
图.9 :
顶峰 反转 恢复 电流 相比
dif/dt (90% 信心).
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
0 25 50 75 100 125 150
tj(°c)
IRM
QRR
IF=8A
VR=100V
qrr; irm[tj] / qrr; IRM[Tj=125°C]
图.10 :
动态 参数 相比 接合面 tem-
perature.
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