MULTILAyer 陶瓷的 电容/轴的 &放大; 放射状的 含铅的
kemet electronics 公司, p.o. 盒 5928, greenville, s.c. 29606, (864) 963-63004
KEMET
®
multilayer 陶瓷的 电容 是 有 在 一个
多样性 的 物理的 sizes 和 配置, 包含
含铅的 设备 和 表面 挂载 碎片. 含铅的
样式 包含 模塑的 和 conformally coated 部分
和 轴的 和 放射状的 leads. 不管怎样, 这 基本
电容 元素 是 类似的 为 所有 样式. 它 是 called 一个
碎片 和 组成 的 formulated dielectric 材料
这个 有 被 cast 在 薄的 layers, interspersed
和 metal electrodes alternately exposed 在 opposite
edges 的 这 laminated structure.
这 全部 结构 是
fired 在 高 温度 至 生产 一个 大而单一的
块
这个 提供 高 电容 值 在 一个
小 物理的 容积. 之后 firing, 传导性的
terminations 是 应用 至 opposite ends 的 这 碎片 至
制造 联系 和 这 exposed electrodes.
Termination 材料 和 方法 相异 取决于 在
这 将 使用.
TEMPERAture 特性
陶瓷的 dielectric 材料 能 是 formulated 和
一个 宽 范围 的 特性. 这 eia 标准 为
陶瓷的 dielectric 电容 (rs-198) divides 陶瓷的
dielectrics 在 这 下列的 classes:
类 i:
温度 compensating 电容,
合适的 为 resonant 电路 应用 或者 其它 appli-
cations 在哪里 高 q 和 稳固 的 电容 char-
acteristics are required. 类 i 电容 有
predictable 温度 coefficients 和 是 不
affected 用 电压, 频率 或者 时间. 它们 是 制造
from 材料 这个 是 不 铁-electric, yielding
更好的 稳固 但是 低 volumetric 效率. 类 i
电容 是 这 大多数 稳固的 类型 有, 但是 有
这 最低 volumetric 效率.
类 ii:
稳固的 电容, 合适的 为 绕过
或者 连接 产品 或者 频率 discriminating
circuits 在哪里 q 和 稳固 的 电容 char-
acteristics 是 不 的 一个 主要的 重要. 类 ii
电容 有 温度 特性 的 ± 15%
或者 较少. 它们 是 制造 从 材料 这个 是
ferro-electric, yielding 高等级的 volumetric 效率 但是
较少 稳固. 类 ii 电容 是 影响 用
temperature, 电压, 频率 和 时间.
类 iii:
一般 目的 电容, 合适的
为 用-通过 连接 或者 其它 产品 在 这个
dielectric losses, 高 绝缘 阻抗 和
稳固 的 电容 特性 是 的 little 或者
非 重要. 类 iii 电容 是 类似的 至 类
ii 电容 除了 为 温度 特性,
这个 是 更好 比 ± 15%. 类 iii 电容
有 这 最高的 vol
umetric 效率 和 poorest
稳固 的 任何 类型.
kemet 含铅的 陶瓷的 电容 是 offered 在
这 三 大多数 popular 温度 特性:
c0g:
类 i, 和 一个 温度 系数 的 0 ±
30 ppm 每 程度 c 在 一个 运行
temperature 范围 的 - 55°c 至 + 125°c (也
知道 作 “np0”).
x7r:
类 ii, 和 一个 最大 电容
改变 的 ± 15% 在 一个 运行 温度
范围 的 - 55°c 至 + 125°c.
z5u:
类 iii, 和 一个 最大 电容
改变 的 + 22% - 56% 在 一个 运行 tem-
perature 范围 的 + 10°c 至 + 85°c.
指定 电的 限制 为 这些 三 温度
特性 是 显示 在 表格 1.
指定 电的 限制
TEMPERAture 特性
参数 C0G X7R Z5U
消耗 因素: 量过的 在 下列的 情况:
c0g — 1 khz 和 1 电压有效值 如果 电容 > 1000 pf
1 mhz 和 1 电压有效值 如果 电容
≤
1000 pf 0.15% 2.5% 4.0%
x7r — 1 khz 和 1 vrms*
z5u — 1 khz 和 0.5 电压有效值
dielectric 力量: 2.5 时间 评估 直流 电压. 通过 subsequent ir 测试
绝缘 阻抗 (ir): 在 评估 直流 电压, 1,000 m
Ω
-µf 1,000 m
Ω
-µf 1,000 m
Ω
-µf
whichever 的 这 二 是 小 或者 100 g
Ω
或者 100 g
Ω
或者 10 g
Ω
温度 特性: 范围, °c -55 至 125 -55 至 125 +10 至 85
电容 改变 没有 0 ± 30 ppm/°c ±15% +22%, -56%
直流 电压
* 1 mhz 和 1 电压有效值 如果 电容
≤
100 pf 在 军队 产品.
表格 i
0988 布局 rev 8/9/2000 9:54 am 页 4
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