6
1 meg x 16 fpm dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d51_5v_b.p65
–
rev. b; pub 3/01 ©2001, micron 技术, 公司
1 meg x 16
fpm dram
I
CC
运行 情况 和 最大 限制
(注释: 1, 2, 3, 5, 6; 注释 能 是 建立 在 页 9); v
CC
(最小值)
≤
V
CC
≤
V
CC
(最大值)
参数/情况 标识 速 3.3v 5V 单位 注释
备用物品 电流: ttl I
CC
1
所有 1 2 毫安
(ras# = cas# = v
IH
)
备用物品 电流: cmos (非-
“
S
”
版本 仅有的) I
CC
2
一个LL 500 500 µ一个
(ras# = cas# = 其它 输入 = v
CC
- 0.2v)
备用物品 电流: cmos (
“
S
”
版本 仅有的) I
CC
2
一个LL 150 150 µ一个
(ras# = cas# = 其它 输入 = v
CC
- 0.2v)
运行 电流: 随机的 读/写 -5 180 190
平均 电源 供应 电流 I
CC
3
-6 170 180 m一个 23
(ras#, cas#, 地址 cycling:
t
rc =
t
rc [min])
运行 电流: 快 页 模式 -5 110 120
平均 电源 供应 电流 I
CC
4
-6 90 110 m一个 23
(ras# = v
IL
, cas#, 地址 cycling:
t
pc =
t
pc [min])
refresh 电流: ras#-仅有的 -5 180 190
平均 电源 供应 电流 I
CC
5
-6 170 180 m一个
(ras# cycling, cas# = v
IH
:
t
rc =
t
rc [min])
refresh 电流: cbr -5 180 180
平均 电源 供应 电流 I
CC
6
-6 170 180 m一个 4, 7
(ras#, cas#, 地址 cycling:
t
rc =
t
rc [min])
refresh 电流: 扩展 (
“
S
”
版本 仅有的)
平均 电源 供应 电流: cas# = 0.2v 或者 cbr cycling; I
CC
7
一个LL 300 300 µ一个 4, 7
ras# =
t
ras (最小值); we# = v
CC
- 0.2v; a0-a11, oe# 和
D
在
= v
CC
- 0.2v 或者 0.2v (d
在
将 是 left 打开)
refresh 电流: 自 (
“
S
”
版本 仅有的)
平均 电源 供应 电流: cbr 和 ras#
ž
I
CC
8
一个LL 300 300 µ一个 4, 7
t
rass (最小值) 和 cas# 使保持 低; we# = v
CC
- 0.2v;
a0-a11, oe# 和 d
在
= v
CC
- 0.2v 或者 0.2v
(d
在
将 是 left 打开)
电容
(便条: 2; 注释 能 是 建立 在 页 9);
参数 标识 最大值 单位
输入 电容: 地址 C
I
1
5pF
输入 电容: ras#, casl#, cash#, we#, oe# C
I
2
7pF
输入/输出 电容: dq C
IO
7pF