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1 meg x 16 edo dram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
d52_b.p65 – rev. b; pub. 3/01 ©2001, micron 技术, inc
16mb: 1 meg x16
edo dram
电容
(注释: 1, 2, 3, 5, 8; 注释 呈现 在 页 10-11)
参数 标识 最大值 单位 注释
输入 电容: 地址 C
I
1
5pF
输入 电容: ras#, casl#,cash#, we#, oe# C
I
2
7pF
输入/输出 电容: dq C
IO
7pF
交流 电的 特性
(注释: 2, 3, 9, 10, 11, 12; 注释 呈现 在 页 10-11); (v
CC
[MIN]
V
CC
V
CC
[max])
交流 特性 -5 -6
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
进入 时间 从 column 地址
t
AA 25 30 ns
column-地址 建制 至 cas# precharge
t
ACH 12 15 ns
column-地址 支撑 时间 (关联 至 ras#)
t
AR 38 45 ns
column-地址 建制 时间
t
ASC 0 0 ns 25
行-地址 建制 时间
t
ASR 0 0 ns 25
column 地址 至 we# 延迟 时间
t
AWD 42 49 ns 13
进入 时间 从 cas#
t
CAC 13 15 ns 14, 25
column-地址 支撑 时间
t
CAH 8 10 ns 25
cas# 脉冲波 宽度
t
CAS 8 10,000 10 10,000 ns 27
cas# 低 至 “don’t care” 在 自 refresh
t
CHD 15 15 ns
cas# 支撑 时间 (cbr refresh)
t
CHR 8 10 ns 7, 26
last cas# going 低 至 第一 cas# 至 返回 高
t
CLCH 5 5 ns 28
cas# 至 输出 在 低-z
t
CLZ 0 0 ns 26
数据 输出 支撑 之后 next cas# 低
t
COH 3 3 ns
cas# precharge 时间
t
CP 8 10 ns 15, 30
进入 时间 从 cas# precharge
t
CPA 28 35 ns 26
cas# 至 ras# precharge 时间
t
CRP 5 5 ns 26
cas# 支撑 时间
t
CSH 38 45 ns 26
cas# 建制 时间 (cbr refresh)
t
CSR 5 5 ns 7, 25
cas# 至 we# 延迟 时间
t
CWD 28 35 ns 13, 25
写 command 至 cas# 含铅的 时间
t
CWL 8 10 ns 26
数据-在 支撑 时间
t
DH 8 10 ns 16, 25
数据-在 建制 时间
t
DS 0 0 ns 16, 25
输出 使不能运转
t
OD 0 12 0 15 ns
输出 使能
t
OE 12 15 ns 17
oe# 支撑 时间 从 we# 在
t
OEH 8 10 ns 18
读-modify-写 循环
oe# 高 支撑 从 cas# 高
t
OEHC 5 10 ns 18
oe# 高 脉冲波 宽度
t
OEP 5 5 ns
oe# 低 至 cas# 高 建制 时间
t
OES 4 5 ns
输出 缓存区 转变-止 延迟
t
止 0 12 0 15 ns 20, 26
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