KM48C2100B_集成电路资料查询网

km48c2000b, km48c2100b
cmos  dram
km48v2000b, km48v2100b
测试 模式 循环
参数 标识
-5 -6 -7
单位 注释
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
随机的 读 或者 写 循环 时间
tRC
95 115 135 ns
读-modify-写 循环 时间
tRWC
138 160 190 ns
进入 时间 从RAS
tRAC
55 65 75 ms 3,4,9
进入 时间 从CAS
tCAC
18 20 25 ms 3,4
进入 时间 从 column 地址
tAA
30 35 40 ms 3,9
RAS脉冲波 宽度
tRAS
55 10K 65 10K 75 10K ns
CAS脉冲波 宽度
tCAS
18 10K 20 10K 25 10K ns
RAS支撑 时间
tRSH
18 20 25 ns
CAS支撑 时间
tCSH
55 65 75 ns
column 地址 至RAS含铅的 时间
tRAL
30 35 40 ns
CAS至W延迟 时间
tCWD
41 45 55 ns 6
RAS至W延迟 时间
tRWD
78 90 105 ns 6
column 地址 至W延迟 时间
tAWD
53 60 70 ns 6
CASprecharge 至W延迟 timerefresh)
tCPWD
58 65 75 ns 6
快 页 模式 循环 时间
tPC
40 45 50 ns
快 页 读-modify-写 循环 时间
tPRWC
81 90 105 ns
RAS脉冲波 宽度 (快 页 循环)
tRASP
55 200K 65 200K 75 200K ns
进入 时间 从CASprecharge
tCPA
35 40 45 ns 3
OE进入 时间
tOEA
18 20 25 ns
OE至 数据 延迟
tOED
18 20 25 ns
OEcommand 支撑 时间
tOEH
18 20 25 ns
( 便条 10, 11 )

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km48c2000b, km48c2100b cmos dram km48v2000b, km48v2100b 测试模式循环参数标识 -5 -6 -7 单位注释最小值最大值最小值最大值最小值最大值随机的读或者写循环时间 tRC 95 115 135 ns 读-modify-写循环时间 tRWC 138 160 190 ns 进入时间从RAS tRAC 55 65 75 ms 3,4,9 进入时间从CAS tCAC 18 20 25 ms 3,4 进入时间从 column 地址 tAA 30 35 40 ms 3,9 RAS脉冲波宽度 tRAS 55 10K 65 10K 75 10K ns CAS脉冲波宽度 tCAS 18 10K 20 10K 25 10K ns RAS支撑时间 tRSH 18 20 25 ns CAS支撑时间 tCSH 55 65 75 ns column 地址至RAS含铅的时间 tRAL 30 35 40 ns CAS至W延迟时间 tCWD 41 45 55 ns 6 RAS至W延迟时间 tRWD 78 90 105 ns 6 column 地址至W延迟时间 tAWD 53 60 70 ns 6 CASprecharge 至W延迟 timerefresh) tCPWD 58 65 75 ns 6 快页模式循环时间 tPC 40 45 50 ns 快页读-modify-写循环时间 tPRWC 81 90 105 ns RAS脉冲波宽度 (快页循环) tRASP 55 200K 65 200K 75 200K ns 进入时间从CASprecharge tCPA 35 40 45 ns 3 OE进入时间 tOEA 18 20 25 ns OE至数据延迟 tOED 18 20 25 ns OEcommand 支撑时间 tOEH 18 20 25 ns ( 便条 10, 11 )

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