2
晶体管 2SC2404
P
C
— ta I
C
— v
CE
I
C
— i
B
I
C
— v
是
V
ce(sat)
— i
C
h
FE
— i
C
f
T
— i
E
C
re
— v
CE
C
ob
— v
CB
0 16040 12080 14020 10060
0
200
150
50
125
175
100
25
75
包围的 温度 ta
(
˚C
)
集电级 电源 消耗 p
C
(
mW
)
018612
0
12
10
8
6
4
2
Ta=25˚C
I
B
=100
µ
一个
80
µ
一个
60
µ
一个
40
µ
一个
20
µ
一个
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0 18060 120
0
12
10
8
6
4
2
V
CE
=6V
Ta=25˚C
根基 电流 i
B
(
µ
一个
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
02.01.60.4 1.20.8
0
30
25
20
15
10
5
V
CE
=6V
Ta=75˚C
–25˚C
25˚C
根基 至 发射级 电压 v
是
(
V
)
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/i
B
=10
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
集电级 至 发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(
V
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0
360
300
240
180
120
60
V
CE
=6V
Ta=75˚C
25˚C
–25˚C
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
向前 电流 转移 比率 h
FE
– 0.1 –1 –10 –100– 0.3 –3 –30
0
1200
1000
800
600
400
200
V
CB
=6V
Ta=25˚C
发射级 电流 i
E
(
毫安
)
转变 频率 f
T
(
MHz
)
0.1 1 10 1000.3 3 30
0
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
I
C
=1mA
f=10.7mhz
Ta=25˚C
集电级 至 发射级 电压 v
CE
(
V
)
一般 发射级 反转 转移 电容 c
re
(
pF
)
030252051510
0
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
I
E
=0
f=1MHz
Ta=25˚C
集电级 至 根基 电压 v
CB
(
V
)
集电级 输出 电容 c
ob
(
pF
)