绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压
(v
DDQ
,dv
DD
) −0.3v 至 +2.3v
供应 电压
(v
DDIO
,v
DDHS
,v
DDB
) −0.3v 至 +3.0v
SSTL 输入 电压 −0.3v 至 (v
DDQ
+ 0.3v)
LVCMOS 输入 电压 −0.3v 至 (dv
DD
+ 0.3v)
LVCMOS 输出 电压 −0.3v 至 (dv
DD
+ 0.3v)
CML 接受者 输入 电压 −0.3v 至 (v
DDHS
+ 0.3v)
CML 驱动器 输出 电压 −0.3v 至 (v
DDHS
+ 0.3v)
接合面 温度 +125˚C
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
焊接, 4 秒 +260˚C
最大 包装 电源 消耗 在 25˚C
DS25C400TUT 5.68 W
减额 在之上 25˚C 45.45 mw/˚c
热的 阻抗,
θ
JA
22 ˚c/w
接合面-至-情况 传导性的
热的 阻抗,
θ
JC
6.5 ˚c/w
静电释放 比率
hbm, 1.5 k
Ω
, 100 pF
eiaj, 0
Ω
, 200 pF
>
2kV
>
200 V
推荐 运行
情况
最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压
V
DDQ
和 DV
DD
至 DGND 1.7 1.8 1.9 V
V
DDIO
,v
DDHS
和 V
DDB
至 DGND 或者 AGND
2.35 2.5 2.65 V
温度 −40 25 85 ˚C
供应 噪音 振幅
<
100mV
p-p
供应 噪音 频率
<
1 MHz
电的 特性
在 推荐 运行 供应 和 温度 范围 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 最小值
典型值
(便条 2)
最大值 单位
sstl_18 直流 规格 — 并行的 i/o, 类 I
V
REF
涉及 电压 0.83 0.90 0.97 V
V
TT
末端 电压 V
REF
−
0.04
V
REF
V
REF
+
0.04
V
V
IH
(直流) 高 水平的 输入 电压 V
REF
+0.125
V
DDQ
+0.300
V
V
IH
(交流) 交流 输入 逻辑 高 V
REF
+0.250
V
V
IL
(直流) 低 水平的 输入 电压
−0.300
V
REF
−0.125
V
V
IL
(交流) 交流 输入 逻辑 低 V
REF
−0.250
V
I
IH
高 水平的 输入 电流 V
在
=V
DDQ
= 1.9 V −10 +50 µA
I
IL
低 水平的 输入 电流 V
在
= 地, V
DDQ
= 1.9 V −10 +10 µA
V
OH
(直流) 高 水平的 输出 电压 I
OH
= −6.3 毫安, unterminated,
C
L
= 8pF
V
DDQ
−0.400
V
terminated, R = 50
Ω
至 V
TT
V
DDQ
−0.550
V
V
OL
(直流) 低 水平的 输出 电压 I
OL
= 6.3 毫安, unterminated,
C
L
= 8pF
0.400 V
terminated, R = 50
Ω
至 V
TT
0.550 V
LVCMOS 直流 规格 — 控制 管脚 eia/jesd8-7 一致的
V
IH
高 水平的 输入 电压 0.65
*
DV
DD
DV
DD
V
V
IL
低 水平的 输入 电压
0
0.35
*
DV
DD
V
DS25C400
www.国家的.com3
: 点此下载
