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M27C202
表格 7. 读 模式 直流 特性
(1)
(t
一个
= 0 至 70
°
c, –40 至 85
°
C 或者 –40 至 125
°
c; V
CC
=5V
±
10%; V
PP
=V
CC
)
便条: 1. V
CC
必须 是 应用 同时发生地 和 或者 在之前 V
PP
和 移除 同时发生地 或者 之后 V
PP
.
2. 最大 直流 电压 在 输出 是 V
CC
+0.5v.
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 单位
I
LI
输入 泄漏 电流
0V
≤
V
在
≤
V
CC
±
10
µ
一个
I
LO
Output 泄漏 电流
0V
≤
V
输出
≤
V
CC
±
10
µ
一个
I
CC
供应 电流
E=V
IL
,g=v
IL
,
I
输出
= 0ma, f = 5MHz
50 毫安
I
CC1
供应 电流 (备用物品) TTL E = V
IH
1mA
I
CC2
供应 电流 (备用物品) CMOS
e>V
CC
– 0.2v
100
µ
一个
I
PP
程序 电流
V
PP
=V
CC
100
µ
一个
V
IL
输入 低 电压 –0.3 0.8 V
V
IH
(2)
输入 高 电压 2
V
CC
+1
V
V
OL
Output 低 电压
I
OL
= 2.1ma
0.4 V
V
OH
Output 高 电压 TTL I
OH
= –400
µ
一个 2.4 V
Output 高 电压 CMOS
I
OH
= –100
µ
AV
CC
– 0.7v
V
二 线条 输出 控制
因为 OTP EPROMs 是 通常地 使用 在 大
记忆 arrays, 这个 产品 特性 一个 2 线条 con-
trol 函数 这个 accommodates 这 使用 的 mul-
tiple 记忆 连接. 这 二 线条 控制
函数 准许:
一个. 这 最低 可能 记忆 电源 消耗,
b. 完全 assurance 那 输出 总线 contention
将 不 出现.
为 这 大多数 效率高的 使用 的 这些 二 控制
线条, E 应当 是 解码 和 使用 作 这 prima-
ry 设备 selecting 函数, 当 G 应当 是
制造 一个 一般 连接 至 所有 设备 在 这
排列 和 连接 至 这 读 线条 从 这
系统 控制 总线. 这个 确保 那 所有 deselect-
ed 记忆 设备 是 在 它们的 低 电源 备用物品
模式 和 那 这 输出 管脚 是 仅有的 起作用的
当 数据 是 必需的 从 一个 particular 记忆
设备.
系统 仔细考虑
这 电源 切换 特性 的 先进的
CMOS EPROMs 需要 细致的 解耦 的 这
设备. 这 供应 电流, I
CC
, 有 三 seg-
ments 那 是 的 interest 至 这 系统 设计者:
这 备用物品 电流 水平的, 这 起作用的 电流 水平的,
和 瞬时 电流 顶峰 那 是 生产 用
这 下落 和 rising edges 的 e. 这 巨大 的
瞬时 电流 顶峰 是 依赖 在 这 ca-
pacitive 和 inductive 加载 的 这 设备 在 这
输出. 这 有关联的 瞬时 电压 顶峰
能 是 suppressed 用 complying 和 这 二 线条
输出 控制 和 用 合适的 选择 解耦
电容. 它 是 推荐 那 一个 0.1
µ
F ceram-
ic 电容 是 使用 在 每 设备 在 V
CC
和 V
SS
. 这个 应当 是 一个 高 频率 capaci-
tor 的 低 固有的 电感 和 应当 是
放置 作 关闭 至 这 设备 作 可能. 在 addi-
tion, 一个 4.7
µ
F 大(量) electrolytic 电容 应当 是
使用 在 V
CC
和 V
SS
为 每 第八 devic-
es. 这 大(量) 电容 应当 是 located near 这
电源 供应 连接 要点.这 目的 的 这
大(量) 电容 是 至 克服 这 电压 漏出
造成 用 the inductive 影响 的 PCB 查出.
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