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MBM29F040C
-55/-70/-90
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一般 描述
这 mbm29f040c 是 一个 4m-位, 5.0 v-仅有的 flash 记忆 有组织的 作 512k 字节 的 8 位 各自. 这
mbm29f040c 是 offered 在 一个 32-管脚 plcc 和 32-管脚 tsop(i) 包装. 这个 设备 是 设计 至 是
编写程序 在-系统 和 这 标准 系统 5.0 v v
CC
供应. 一个 12.0 v v
PP
是 不 必需的 为 写 或者 擦掉
行动. 这 设备 能 也 是 reprogrammed 在 标准 非易失存储器 programmers.
这 标准 mbm29f040c 提供 进入 时间 55 ns 和 90 ns, 准许 运作 的 高-速
微处理器 没有 wait states. 至 eliminate 总线 contention 这 设备 有 独立的 碎片 使能 (ce
), 写
使能 (我们
), 和 输出 使能 (oe) 控制.
这 mbm29f040c 是 管脚 和 command 设置 兼容 和 电子元件工业联合会 标准 e
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proms. commands 是 写
至 这 command 寄存器 使用 标准 微处理器 写 timings. 寄存器 内容 提供 作 输入 至 一个
内部的 状态-机器 这个 控制 这 擦掉 和 程序编制 电路系统. 写 循环 也 内部 获得
地址 和 数据 需要 为 这 程序编制 和 擦掉 行动. 读 数据 输出 的 这 设备 是 类似的
至 读 从 12.0 v flash 或者 非易失存储器 设备.
这 mbm29f040c 是 编写程序 用 executing 这 程序 command sequence. 这个 将 invoke 这 embedded
程序 algorithm 这个 是 一个 内部的 algorithm 那 automatically 时间 这 程序 脉冲波 widths 和 核实
恰当的 cell 余裕. 典型地, 各自 sector 能 是 编写程序 和 核实 在 较少 比 0.5 秒. 擦掉 是
accomplished 用 executing 这 擦掉 command sequence. 这个 将 invoke 这 embedded 擦掉 algorithm 这个
是 一个 内部的 algorithm 那 automatically preprograms 这 排列 如果 它 是 不 already 编写程序 在之前 executing
这 擦掉 运作. 在 擦掉, 这 设备 automatically 时间 这 擦掉 脉冲波 widths 和 核实 恰当的 cell
余裕.
任何 单独的 sector 是 典型地 erased 和 核实 在 1 第二. (如果 already 完全地 preprogrammed.)
这 设备 也 特性 一个 sector 擦掉 architecture. 这 sector 模式 准许 为 64k 字节 sectors 的 记忆
至 是 erased 和 reprogrammed 没有 影响 其它 sectors. 这 mbm29f040c 是 erased 当 运输
从 这 工厂.
这 设备 特性 单独的 5.0 v 电源 供应 运作 为 两个都 读 和 写 功能. 内部 发生
和 管制 电压 是 提供 为 这 程序 和 擦掉 行动. 一个 低 v
CC
探测器 automatically
inhibits 写 行动 在 这 丧失 的 电源. 这 终止 的 程序 或者 擦掉 是 发现 用 数据
polling 的 dq
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或者 用 这 toggle 位 特性 在 dq
6
. once 这 终止 的 一个 程序 或者 擦掉 循环 有 被 完成, 这 设备
内部 resets 至 这 读 模式.
fujitsu's flash 技术 结合 年 的 非易失存储器 和 e
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prom experience 至 生产 这 最高的 水平
的 质量, 可靠性 和 费用 成效. 这 mbm29f040c 记忆 用电气 erases 这 全部 碎片 或者 所有
位 在里面 一个 sector 同时发生地 通过 fowler-nordheim tunneling. 这 字节 是 编写程序 一个 字节 在 一个
时间 使用 这 非易失存储器 程序编制 mechanism 的 hot electron injection.
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