2
绝对 最大 比率 热的 信息
集电级-至-发射级 电压 (v
CEO
)
ca3146a, ca3183a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
ca3146, ca3183. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
集电级-至-根基 电压 (v
CBO
)
ca3146a, ca3183a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
ca3146, ca3183. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
集电级-至-基质 电压 (v
CIO
, 便条 1)
ca3146a, ca3183a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
ca3146, ca3183. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
发射级 至 根基 电压 (v
EBO
) 所有 类型. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
集电级 电流
ca3146a, ca3146 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
ca3183a, ca3183 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75mA
根基 电流 (i
B
) - ca3183a, ca3183. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
运行 情况
温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40
o
c 至 85
o
C
热的 阻抗 (典型, 便条 2)
θ
JA
(
o
c/w)
14 ld pdip 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100
14 ld soic 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200
16 ld pdip 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 95
16 ld soic 包装 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
最大 电源 消耗 (任何 一个 晶体管, 便条 3)
ca3146a, ca3146. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
ca3183a, ca3183. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW
最大 接合面 温度 (消逝). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175
o
C
最大 接合面 温度 (塑料 包装) . . . . . . . . .150
o
C
最大 存储 温度 范围 (所有 类型) . -65
o
c 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 (焊接 10s). . . . . . . . . . . . .300
o
C
(soic - 含铅的 tips 仅有的)
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “Absolute 最大 Ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 仅有的 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1. 这 集电级 的 各自 晶体管 是 分开的 从 这 基质 用 一个 integral 二极管. 这 基质 必须 是 连接 至 一个 电压 这个 是 更多
负的 比 任何 集电级 电压 在 顺序 至 维持 分开 在 晶体管, 和 至 提供 为 正常的 晶体管 action. 至 避免
undesired 连接 在 晶体管, 这 基质 终端 应当 是 maintained 在 也 直流 或者 信号 (交流) 地面. 一个 合适的 绕过
电容 能 是 使用 至 establish 一个 信号 地面.
2.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载 在 一个 evaluation pc 板 在 自由 空气.
3. 小心 必须 是 带去 至 避免 exceeding 这 最大 接合面 温度. 使用 这 总的 电源 消耗 (所有 晶体管) 和 热的
抵制 至 计算 这 接合面 温度.
电的 specifications
ca3146 序列
参数 标识
测试 情况 典型
perf.
曲线
图. 非.
CA3146 CA3146A
UNITST
一个
= 25
o
C MN 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
直流 特性 为 各自 晶体管
集电级-至-根基
损坏 电压
V
(br)cbo
I
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0 - 40 72 - 50 72 - V
集电级-至-发射级
损坏 电压
V
(br)ceo
I
C
= 1ma, i
B
= 0 - 30 56 - 40 56 - V
集电级-至-基质
损坏 电压
V
(br)cio
I
CI
= 10
µ
一个, i
B
= 0,
I
E
= 0
- 40 72 - 50 72 - V
发射级-至-根基 损坏 电压 V
(br)ebo
I
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0 - 5 7 - 5 7 - V
集电级-截止 电流 I
CEO
V
CE
= 10v, i
B
= 0 1 - 看
曲线
5 - 看
曲线
5
µ
一个
集电级-截止 电流 I
CBO
V
CB
= 10v, i
E
= 0 2 - 0.002 100 - 0.002 100 nA
直流 向前-电流 转移
比率
h
FE
V
CE
= 5v, i
C
= 10ma 3 - 85 - - 85 - -
V
CE
= 5v, i
C
= 1ma 3 30 100 - 30 100 - -
V
CE
= 5v, i
C
= 10
µ
A3 -90--90--
根基-至-发射级 电压 V
是
V
CE
= 3v, i
C
= 1ma 4 0.63 0.73 0.83 0.63 0.73 0.83 V
集电级-至-发射级
饱和 电压
V
CE SAT
I
C
= 10ma, i
B
= 1ma 5 - 0.33 - - 0.33 - V
直流 特性 为 晶体管 q
1
和 q
2
(作 一个 差别的 amplifier)
巨大 的 输入 补偿
电压 |v
BE1
- v
BE2
|
|V
IO
|V
CE
= 5v, i
E
= 1ma 6, 7 - 0.48 5 - 0.48 5 mV
巨大 的 根基-至-发射级
温度 系数
V
CE
= 5v, i
E
= 1ma - - 1.9 - - 1.9 - mv/
o
C
∆
V
是
∆
T
----------------
ca3146, ca3146a, ca3183, ca3183a
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